Fds4435bz чем заменить
FDS4435BZ MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS4435BZ
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOIC
FDS4435BZ Datasheet (PDF)
..1. fds4435bz.pdf Size:225K _fairchild_semi
April 2009FDS4435BZP-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20m Features General Description Max rDS(on) = 20m at VGS = -10V, This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, Semiconductors advanced PowerTrench process that has Extended VGSS range (-25V) for battery applications been especially tailored to minimi
..2. fds4435bz f085.pdf Size:296K _fairchild_semi
July 2009FDS4435BZ_F085P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20m Features General Description Max rDS(on) = 20m at VGS = -10V, This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, Semiconductors advanced PowerTrench process that has Extended VGSS range (-25V) for battery applications been especially tailored to mi
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
..4. fds4435bz.pdf Size:1468K _cn_vbsemi
FDS4435BZwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = — 10 V — 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = — 4.5 V — 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D
7.1. fds4435.pdf Size:64K _fairchild_semi
October 2001 FDS4435 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 8.8 A, 30 V R = 20 m @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 35 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave
7.2. fds4435a.pdf Size:172K _fairchild_semi
October 2001FDS4435AP-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General DescriptionFeaturesThis P-Channel Logic Level MOSFET is produced using -9 A, -30 V. RDS(ON) = 0.017 W @ VGS = -10 VFairchild Semiconductors advanced PowerTrench processRDS(ON) = 0.025 W @ VGS = -4.5 Vthat has been especially tailored to minimize the on-stateresistance and yet maintain low gate charg
FDS4435BZ аналог NDS8435A и IRF7416PBF
The FDS4435BZ is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild»s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating — MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications. . Extended VGSS range (-25V) for battery applications . HBM ESD protection level of ±3.8kV typical . High performance trench technology for extremely low RDS (on) . High power and current handling capability ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
NDS8435A Обзор
P-Channel 30V 7.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
IRF7416PBF Обзор
The IRF7416PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. . Dynamic dv/dt rating . Fully avalanche rated . Generation V technology
ASUS X450LD rev.2.1 плата не реагирует на подключение питания
ASUS X450LD rev.2.1 при подключении адаптера диод не загорается, соответственно нет зарядки акума. Замерил дежурные напряжения по нулям, на дроселях ноль. Далее проверил напряжение на зарядке аккумулятора, на двух крайних контактах 1,01v, и всё больше ничего нет нигде. Решил начать с начала,(схему не удалось найти) проверил путь от адаптера до контроллера зарядки(BQ735)
1,2,3 нога 1,01v
6(ACDET) — 2.4v
16(REGN) — 6v
17(BTST) — 5v
20(VCC) — 19v
такая картина не дала мне понимания проблемы, начал капать дальше.
Звоню первую ногу BQ735 на стоки транзисторов, запищали 2 из них, промерил из на предмет пробоя. один в порядке, второй звониться насквозь сток-исток при смене, при перестановке щупов тот же прозвон насквозь. Выпаял его что бы проверить вне схемы, почитал форум
пришёл к выводу что это пробитый мосфет вида 
И далее у меня ступор, я не могу найти даташита на этот транзюк( если это действительно транзистор, маркировка на нём такая:
A5 GNA
4Q0U09
прошу пожалуйста помогите разобраться. прилагаю фото участка платы с расположением этого элемента
AO4435
Транзистор AO4435 (аналог FDS4435BZ, SI4435, FDS4435)
- VDS = -30V, (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 36mΩ (VGS = -5V)
- Low gate charge (17nC typical)
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
- Power management
- Load switch
- Battery protection
| Код товара : | M-160-3604 |
|---|---|
| Обновление: | 2022-09-06 |
| Тип корпуса : | SOP-8 |
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить AO4435, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Скачать даташит PDF для AO4435
*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.
Что еще купить вместе с AO4435 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.