Fdv303n чем заменить

FDV303N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDV303N

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.68 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm

FDV303N Datasheet (PDF)

..1. fdv303n nb9u008.pdf Size:47K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

August 1997 FDV303N Digital FET, N-ChannelGeneral Description Features25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak.These N-Channel enhancement mode field effect transistors areRDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 Vproduced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOStechnology. This very high density process is tailored to minimizeRDS(ON) = 0.6 @ VGS= 2.7 V.on-state resistanc

..2. fdv303n.pdf Size:65K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

..3. fdv303n.pdf Size:1238K _kexin

FDV303N FDV303N

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETFDV303N (KDV303N)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 25V A1 2 RDS(ON) 450m (VGS = 4.5V)+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.1 RDS(ON) 600m (VGS = 2.7V)1.9-0.11.GateD2.Source3.DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dra

..4. fdv303n.pdf Size:546K _cn_shikues

FDV303N FDV303N

FDV303NN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature20V/2A, RDS(ON) = 80m(MAX) @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 90m(MAX) @VGS = 2.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) .Reliable and Rugged. SOT-23 for Surface Mount Package. ApplicationsPower Management SOT-23Portable Equipment and Battery Powered Systems. Absolute Maximum Ratings TA=

..5. fdv303n.pdf Size:2319K _cn_vbsemi

FDV303N FDV303N

FDV303Nwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC C

0.1. fdv303n-3.pdf Size:1245K _kexin

FDV303N FDV303N

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETFDV303N (KDV303N)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 25V A1 2 RDS(ON) 450m (VGS = 4.5V) +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 600m (VGS = 2.7V)1.GateD2.Source3.DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

9.1. fdv304p.pdf Size:63K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

August 1997 FDV304P Digital FET, P-Channel General Description Features-25 V, -0.46 A continuous, -1.5 A Peak.This P-Channel enhancement mode field effect transistors isproduced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS RDS(ON) = 1.1 @ VGS = -4.5 Vtechnology. This very high density process is tailored to minimizeRDS(ON) = 1.5 @ VGS= -2.7 V. on-state resi

9.2. fdv301n.pdf Size:213K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

June 2009 FDV301N Digital FET , N-Channel General Description Features25 V, 0.22 A continuous, 0.5 A Peak.This N-Channel logic level enhancement mode field effectRDS(ON) = 5 @ VGS= 2.7 Vtransistor is produced using Fairchild's proprietary, high celldensity, DMOS technology. This very high density process isRDS(ON) = 4 @ VGS= 4.5 V.especially tailored to minimize on-

FDV303N FDV303N

9.4. fdv302p.pdf Size:63K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

October 1997 FDV302P Digital FET, P-Channel General Description Features-25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.This P-Channel logic level enhancement mode field effect RDS(ON) = 13 @ VGS= -2.7 Vtransistor is produced using Fairchild's proprietary, high celldensity, DMOS technology. This very high density process is RDS(ON) = 10 @ VGS = -4.5 V.especially tailored t

FDV303N FDV303N

9.7. fdv305n.pdf Size:172K _fairchild_semi

FDV303N FDV303N

January 2003 FDV305N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchilds high 0.9 A, 20 V RDS(ON) = 220 m @ VGS = 4.5 V voltage PowerTrench process. It has been optimized for RDS(ON) = 300 m @ VGS = 2.5 V power management applications. Low gate charge Applications Fast switching speed Load s

9.8. fdv304p.pdf Size:67K _onsemi

FDV303N FDV303N

9.9. fdv301n.pdf Size:213K _onsemi

FDV303N FDV303N

9.10. fdv302p.pdf Size:165K _onsemi

FDV303N FDV303N

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and oth

9.11. fdv305n.pdf Size:289K _onsemi

FDV303N FDV303N

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

9.12. fdv301n.pdf Size:1797K _kexin

FDV303N FDV303N

N-Channel MOSFETFDV301NSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.131 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11. Gate2. Source3. Drain0.4+0.1+0.12.4-0.11.3-0.10.55+0.10.97-0.1+0.10-0.10.38-0.1N-Channel MOSFETFDV301N MarkingMarking 301SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETFDV301N Typical Characterisitics1.40.5V GS = 4

FDV303N аналог FDV303N_NL и BSH103,215

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V and designed for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NHM cells, inverters, high efficiency miniature discrete DC/DC conversion in electronic devices like cellular phones and pagers. . Drain to source voltage (Vds) of 25V . Gate to source voltage of 8V . Continuous drain current (Id) of 680mA . Power dissipation (Pd) of 350mW . Low on state resistance of 330mohm at Vgs 4.5V . Operating temperature range -55°C to 150°C

BSH103,215 Обзор

The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications. . Suitable for use with all 5V logic families . Suitable for very low gate drive sources . Drain to source voltage (Vds) of 30V . Gate to source voltage of ±8V . Drain current (Id) of 850mA . Power dissipation (Pd) of 750mW . Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

FDV303N, Транзистор полевой N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт

FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора. Обладает отличным сопротивлением включенного состояния даже при маленьком напряжении драйвера затвора (2.5В). Предназначен для использования в схемах с питанием от батареи (одной литиевой, 3-х кадмиевых или NIHM), инверторах, схемах DC/DC преобразования в сотовых телефонах или пейджерах.

• Напряжение сток-исток (Vds) 25В
• Напряжение затвор-исток 8В
• Непрерывный ток стока 680мА
• Рассеивание мощности 350мВт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 330Ом при Vgs 4.5В
• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C

От LNK302 до LNK306. Питание управляющих микросхем ИБП с помощью линейки LinkSwitch-TN Family от Power Integrations

В своих предыдущих конструкциях для питания FAN7621 и FSFR2100 я применял миниатюрный БП на 14,5В, в простонародье именуемый AC/DC конвертером. Всё меня устраивало до тех пор, пока в моих запасах не кончились эти самые AC/DC конвертеры. А очередной источник питания требовал срочной сборки и испытания.

Конечно, можно было бы заказать такие же конвертеры на Алиэкспресс, честно подождать несколько недель… Но за это время многое в мире меняется. Например то, что к моменту прибытия посылки, данный БП мне уже будет не нужен, или я найду другой способ питания этого самого несчастного контроллера.

Сначала я решил посмотреть, что в мире-то происходит на фронте питания контроллеров «горячей стороны». И что вы думаете? Да там ничего не изменилось! Те же 2-5-10 Ваттные резисторы, отдельные железные трансформаторы или обмотки «самопитания»! По этому набору граблей я уже прошел, поэтому решил отложить изготовление нового БП до лучших времен.

И, как обычно, неожиданно, эти лучшие времена настали. Мне в руки попался интересный БП, где питание «народного» контроллера IR2153S было организованно через специальную микросхему, которая для меня была новой и незнакомой. Это был чип LNK302PN.

Я скачал на него даташит, и был удивлен простотой и изяществом его конструкции. В принципе, я имел восьминогую микросхему, в которую с одной стороны приходило выпрямленное сетевое напряжение, а на выходе получал 14В для контролера ШИМ. При этом ни трансформаторов, ни оптопар, ни массы других сложных для изготовления компонентов не было! Буквально десяток недорогих деталей рассыпухой!

И, к тому же, их там целое семейство — от LNK302 до LNK306. Чипы отличаются только отдаваемым током! Эти параметры можно найти в даташите на микросхему.

Естественно, я не смог удержаться и решил срочно поискать в местных магазинах такие микросхемы для тестирования. Оказалось, что именно эта линейка выпускается в трех видах корпусов:
DIP8 — «P package», DIP8 для SMD — «G package», SOP8 для SMD — «D package».

Я смог найти только DIP8 LNK305, но этого было вполне достаточно для начального испытания.
Начал я, как обычно, с моей любимой FAN7621 .

Вот пример использования микросхемы из даташита:

Я же немного допилил напильником:

И, на всякий случай, сделал вариант для SOP8 корпуса:

Различия, как видите, минимальны и почти не заметны невооруженным глазом.

D3 можно выкинуть. С2 — от его емкости зависит, сколько проработает ваш БП после отключения питания. Как С2 разрядится — БП отключится. Соотношение R1 и R2 выбирается с таким расчетом, чтобы на резисторе R2 получить напряжение 1,65В.
Выходное напряжение можно посчитать по этой формуле
Uout=((1.65*(R1+R2)/R2) +падение на D5) .
Тут может быть неточность, я не математик, но задача проста — обеспечить на нужной ноге нужное напряжение. При несоответствии подстроить номиналами резисторов!

Дроссель — обычный выводный на 1uH. Я использовал такой:

От LNK302 до LNK306. Питание управляющих микросхем ИБП с помощью линейки LinkSwitch-TN Family от Power Integrations

Мне пришлось уговаривать работать FAN7621 , поэтому при указанных в схеме номиналах я получил примерно 14,8В напряжения в точке соединения L1 D5 C5.

Не желательно подключать ногу D микросхемы прямо на силовые банки после выпрямителя! Например, при срабатывании защиты у FAN7621 приходится ждать несклько минут, пока разрядится основной блок конденсаторов фильтра, ведь LNK302-306 сохраняет работоспособность от 85В.

Ну и для примера — блок питания домашнего усилка, собранного год назад. Это клон dynacord-а, три пары выходников, защита от постоянки и перегрева.
БП — LLC резонансник на FAN7621, драйвера TC4420 в smd корпусе, силовые транзисторы IGBT IXGH40N60. Довольно неслабый по потреблению комплект!

Драйвера в SOP8 корпусе, поэтому их тут не видно. Версия в DIP — в заголовке страницы, но там и другой БП.

Ну, а здесь его схема. Примерная, потому как я как обычно ее не рисовал на момент изготовления самого устройства. Но она вполне работоспособна.

Как видно, нет ничего страшного, источник питания вполне справляется как с питанием самого контроллера, так и пары драйверов для раскачки силовых транзисторов. Поэтому я смело рекомендую эту микросхему для использования в качестве источника питания любых импульсных БП, где контроллер находится на «горячей» стороне и требуется постоянное напряжение 12-15В.

Еще хочу отметить достаточную надежность микросхем LNK302-LNK306. Помимо того, что они на данный момент работают у меня в нескольких устройствах, я проводил эксперименты с силовым трансформатором от БП пульта Behringer PMP1280s и контроллером IR2156.
На очередном этапе испытаний я вынес всю силовую часть БП в хлам. Под раздачу попали: IR2156 (выбило крышку корпуса над кристаллом), оба драйвера TC4420 (верхний транзистор двухтактного выходного каскада, а КЗ) и пары IGBT транзисторов в металл по всем ногам, ну и после всего этого естественно предохранитель на 6,3А и обвязка по мелочи…

Единственным живым местом оказался именно контроллер LNK305P с обвязкой, включая светодиод индикации. Эти части схему не пострадали от моей беспечности.
Рекомендую чипы LNK для использования!

Fdv303n чем заменить