Rjp30h2a чем заменить

Rjp30h2a чем заменить

RJP30H2A — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

RJP30H2A Datasheet (PDF)

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 / RJP30H2A R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A maxOutline

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A max Outline RENES

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A max Outline RENES

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Isolated p

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Isolated p

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Outline RENES

8.4. rjp30h1dpd.pdf Size:130K _renesas

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Outline RENES

Плазма LG 42PA4510-ZG горят транзисторы в игрике

Вобщем. Есть три панели, пришли в гости с разбегом где то в две недели. У всех одна и та же неисправность.
Кольцевая трещина на затворе KF7N60 в линии set_dn из за которой имеем пробитые Q707,708 RJP30H2A в sus_dn и Q703,704 RJP63K2 в sus_up (у одной еще и скан пробитый на планке), заменен
Заказал с китая партию и тех и тех. Перед заказом пролазил кучу лотов и выбрал те которые много заказывают и у людей вполне положительные отзывы об удачной установке и использовании.
Вот

Пришли транзисторы. Ставлю. Меняю 7n60. Пропаиваю весь игрек, все сколько нибудь подозрительные места. Меняю несколько емкостей которые более чем на 10% потеряли параметры. Все работает но изо бледное и при выключении красные точки. Еще и свист ужасный. Проработало это дело минуты 2-3 — уехали опять те же транзисторы и соседний 7n60 в линии set_up
Ок почитав форумы нашел мессидж Vornst про дерьмовые 7n60. Заказываю с Самары те, что стоят, именно KF7N60. Ставлю. Впаиваю новые игбт благо пришло по 20шт. Включаю. Прохожусь по напругам панели, немного был завышен Va. Изо нормально, но свист 5 минут. Пробиты. В Самаре поискал чем можно заменить игбт. Нашел только 30h2a поставил их. 63k2 по прежнему китай. Включаем Все работает. Примерно 15 минут поездил аппарат и снова все то же самое при этом раскалились 63k2 перед тем как сдохнуть.

Решено Плазма LG 42 PN450D горят транзисторы на Y

В данном аппарате были прoбиты на КЗ q709-KF7N60,Q704,Q703-RJP63K2,Q707,Q708-RJP30H2A и стабилизатор на 1,2 в. на лоджике.Все было заменено,все пропаяно,конденсаторы проверены.Телевизор стал работать,но через некоторое время отключаться,а потом и вовсе потух.Пробитыми оказались Q707-RJP30H2,второй KF7N60 и диод около него UF4007,так-же пробило нижний скан,его сдул,замены пока нет,попробую без него.Все снова заменил.Для проверки сигналов подключил Y,Z и лоджик к 2х18в. и 5в.Сигналы на затворы Y доходят ,а на Z тишина,на входной разъем с лоджика приходят, а на микру Т541А не доходят,гасятся на входных резисторах,у этой микры входы звонятся накоротко на землю.Если в этой микросхеме проблема,почему горят транзисторы на Y.

• 23 Дек 2017

Что это ? Неисправности Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Программаторы Аббревиатуры Частые вопросы Ссылки дня

Это информационный блок по ремонту телевизоров

Неисправности ТВ

Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:

• не включается
• нет подсветки
• уменьшить ток подсветки
• перезагружается
• замена прошивки
• не светят лампы
• не ловит каналы
• отключить защиту

Где скачать прошивку телевизора ?

Многие прошивки размещены в каталоге обменника здесь — Прошивки телевизоров, либо непосредственно в темах созданных участниками. Часть прошивок отсортирована и размещена в отдельных разделах:

Где скачать схему телевизора ?

Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

(сообщения помощь из форума) (каталог сайта) (каталог) (каталог)

• Service Manual — сервисная инструкция по ремонту и настройке
• Schematic Diagram — принципиальная электрическая схема
• Service Bulletin — сервисный бюллетень (дополнительная информация для ремонта)
• Part List — список запчастей (элементов) устройства

Где скачать справочник ?

Большинство справочной литературы можно скачать в каталоге "Энциклопедия ремонта", и на отдельных страницах:

Как определить компонент ?

В первую очередь по его маркировке и логотипу производителя. Marking (маркировка) — обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали)

Package (корпус) — вид корпуса электронного компонента

При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:

• SOT-89 — пластковый корпус для поверхностного монтажа
• SOT-23 — миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
• TO-220 — вид корпусов для монтажа (пайки) в отверстия
• SOP (SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
• DPAK (TO-252) — корпус для полупроводниковых устройств с поверхностным монтажом

Programmer (программатор)

Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:

• Postal-2,3 — универсальный программатор по протоколам I2C, SPI, MW, IСSP и UART. Подробно — Программатор Postal — сборка, настройка
• TL866 (TL866A, TL866CS) — универсальный программатор через USB интерфейс
• CH341A — самый дешевый (не дорогой) универсальный программатор через USB интерфейс для FLASH и EEPROM микросхем
• RT809H — универсальный программатор EMMC-Nand, FLASH, EEPROM памяти через интерфейсы ICSP, I2C, UART, JTAG
• JTAG адаптеры — используются для программирования и для отлаживания прошивок

Краткие сокращения

Желающим подключиться к обсуждениям

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Кто отвечает на вопросы ?

Ответ в тему Плазма LG 42 PN450D горят транзисторы на Y как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Как найти нужную информацию ?

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

По каким маркам можно спросить ?

По любым. Наиболее частые ответы по популярным брэндам — LG, Samsung, Philips, Toshiba, Sony, Panasonic, Xiaomi, Sharp, JVC, DEXP, TCL, Hisense, и многие другие в том числе китайские модели.

Что еще я смогу здесь скачать ?

При активном участии в форуме Вам будут доступны дополнительные файлы и разделы, которые не отображаются гостям — схемы, прошивки, справочники, методы и секреты ремонта, типовые неисправности, сервисная информация.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGH40N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.

Затем произвести следующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:

При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.