Чем заменить транзистор а1266
Биполярный транзистор A1266 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A1266
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
A1266 Datasheet (PDF)
A1266 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -50 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -150 mACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperature Range Tstg
SEMICONDUCTOR KTA1266ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. EKB 4.80 MAXGComplementary to KTC3198A. C 3.70 MAXDD 0.45E
SEMICONDUCTOR KTA1266TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mAN DIM MILLIMETERS: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. GC 3.70 MAXDComplementary to KTC3198. D 0.45E 1.00F
KTA1266(PNP)TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE Linearity Low noise Complementary to KTC3198 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Co
0.5. kta1266.pdf Size:210K _wietron
KTA1266WEITRONPNP Plastic-Encapsulate TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASEFEATURES : Excellent hFE LinearityTO-92 Low noiseMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current -Continuous IC -0.1
0.6. fta1266.pdf Size:269K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTA1266TECHNICAL DATATRANSISTOR (NPN) B CFEATURES General Purpose Switching Application Complementary to FTC3198.DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAX GC 3.70 MAXDD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 1.00F 1.27G 0.85Symbo Parameter Value UnitH 0.45_HVCBO Collector-Base Voltage -60 V J 14.00 + 0.50L 2.30F
0.7. kta1266.pdf Size:1113K _kexin
DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1266Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features Excellent hFE Linearity Low Noise Complementary to KTC31980.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Collector1.272.54 3.Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -50 Collector — Emitter Voltage VCEO
2SA1015 аналог 2SA1266 и 2SA1015
образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить 
2SA1266 KEC(Korea Electronics) Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE