Где купить подобранные полевые транзисторы в москве

Полевые транзисторы

2N7000TA Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200mA Сопротивление открытого канала: 5 Ohm Мощность макс.: 400mW Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 3V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Through Hole

2N7002 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115mA Сопротивление открытого канала: 7.5 Ohm Мощность макс.: 200mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002,215 Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300mA Сопротивление открытого канала: 5 Ohm Мощность макс.: 830mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002-TP Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115mA Сопротивление открытого канала: 7.5 Ohm Мощность макс.: 200mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002BK,215 Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 350mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 370mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1V Заряд затвора: 0.6nC Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002BKW,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 (SC-70) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 275mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1V Заряд затвора: 0.6nC Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002CK,215 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.35Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 350mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Заряд затвора: 1.3nC Входная емкость: 55pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002K Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА, 0.2Вт Производитель: Guangdong Hottech Co. Ltd Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115mA Сопротивление открытого канала: 7.5 Ohm Мощность макс.: 200mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002KT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 320mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 300mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Заряд затвора: 0.7nC Входная емкость: 24.5pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002LT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115mA Сопротивление открытого канала: 7.5 Ohm Мощность макс.: 225mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002P,215 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 350mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4V Заряд затвора: 0.8nC Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002PS,115 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.42 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: TSSOP6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 320 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 420 мВт

2N7002PW,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31А 0.31Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 260mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4V Заряд затвора: 0.8nC Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002W-7-F Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115mA Сопротивление открытого канала: 7.5 Ohm Мощность макс.: 200mW Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 2V Входная емкость: 50pF Тип монтажа: Surface Mount

2N7002WT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310mA Сопротивление открытого канала: 1.6 Ohm Мощность макс.: 280mW Тип транзистора: N-Channel Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5V Заряд затвора: 0.7nC Входная емкость: 24.5pF Тип монтажа: Surface Mount

2SJ162 Транзистор полевой P-канальный 160В 7А 100Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 160В Ток стока макс.: 7A Мощность макс.: 100W Тип транзистора: P-Channel Входная емкость: 900pF Тип монтажа: Through Hole

2SK2761-01MR Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 50Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Мощность макс.: 50W Тип транзистора: N-Channel

2SK3673-01MR Транзистор полевой N-канальный 700В 10А Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 700В Ток стока макс.: 7A Тип транзистора: N-Channel

2SK3878 Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9A Мощность макс.: 150W Тип транзистора: N-Channel

2SK4013 Транзистор полевой N-канальный 800В 6А 45Вт (рекомендуемая замена: TK6A80E) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Мощность макс.: 45W Тип транзистора: N-Channel

Основные производители

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (другое название — униполярные) — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее.

Выбор транзистора

Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками. Для этого используют справочники, дополнительную литературу или интернет-ресурсы. Полевые транзисторы делятся на две подтипа — с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором. Каждый из них делится еще на ряд подтипов. Их вы можете недорого купить у группы компаний «Промэлектроника». Всю необходимую информацию и характеристики вы найдете в каталоге на официальном сайте предприятия.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» выделяется среди конкурентов наличием большого количества преимуществ, которые стали результатом ее работы на рынке разработки и реализации товаров для электротехники с 1993 года. Итак, к преимуществам относится:

• большой выбор товаров для электротехники и электроники, запасные части, комплектующие и прочее;
• наличие собственного большого склада, что обеспечивает постоянное наличие необходимой продукции;
• возможность торговли товарами оптом и в розницу;
• различные формы оплаты;
• консультации на предмет выбора необходимого вам оборудования;
• доставка покупок по территории Российской Федерации;
• низкие цены.

Чтобы подробно ознакомиться с представленными товарами, пожалуйста, перейдите в каталог. В случае возникновения вопросов обращайтесь к менеджерам.

Цена на Полевые транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Полевые транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Полевые транзисторы — от 2.54 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России, в Казахстан и Беларусь

Посмотреть Полевые транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге или в Москве.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Казахстан и Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Полевые транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице «Способы доставки»

Транзисторы полевые FETs, MOSFETs

Данный сайт собирает информацию, зарегистрированную в файлах «cookies» . развернуть для целей адаптации функционала сервиса к потребностям пользователей, в целях сбора статистической информации для анализа и улучшения качества работы сервиса, а также в рекламных целях. При использовании данного сервиса, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookies». Файлы «cookies» будут сохранены в памяти вашего устройства (ЭВМ, смартфон и пр.). Вы можете изменить настройки файлов «cookies» в вашем браузере, однако такие изменения могут повлиять на функциональность сервиса и ограничить его использование.

Вся инфрмация на сайте, носит ознакомительный характер, и не является публичной офертой.

Полевые транзисторы

MOSFET — это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

• максимальное напряжение сток-исток, V_(BR)DSS;
• ток стока номинальный, I_D;
• сопротивление открытого канала, R_ds(on);
• рассеиваемая мощность, P_D;
• заряд затвора, Q_g

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.

Транзисторы полевые

Данные полупроводниковые элементы применяются для усиления электрического сигнала, модуляции, а также управления высоким током на выходах цепи. Принцип работы полевых транзисторов, управляемых электрическим полем, основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа.

• Производитель: Vishay Intertechnology, Inc., USA
• Артикул: B014125
• Краткое наименование: IRFIBF30GPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001018
• Краткое наименование: IPA60R1K0CEXKSA1

• Производитель: ОАО "Foton", г. Ташкент
• Артикул: Ц0048430
• Год выпуска: 1996
• Краткое наименование: КП307А

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001153
• Краткое наименование: IRFU5305PBF

• Производитель: АО "ВЗПП-С", г. Воронеж
• Артикул: Ц0068424
• Год выпуска: 1994
• Краткое наименование: 2П303В

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B000563
• Краткое наименование: IRF5801TRPBF

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B014524
• Краткое наименование: WMF07N60C4

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001051
• Краткое наименование: IRF1310NPBF

• Производитель: АО "Октябрь", Украина, г. Винница
• Артикул: Ц0066126
• Год выпуска: 1990
• Краткое наименование: 2П103А

• Производитель: ОАО "Эльдаг", г. Махачкала
• Артикул: Ц0065536
• Год выпуска: 1993
• Краткое наименование: КП948А

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001063
• Краткое наименование: IRF6215PBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001113
• Краткое наименование: IRFI1010NPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001109
• Краткое наименование: IRF9952PBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001238
• Краткое наименование: IPA80R900P7XKSA1

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B014525
• Краткое наименование: WMO80R720S

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001095
• Краткое наименование: IRF7807TRPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001241
• Краткое наименование: IPA70R900P7SXKSA1

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001157
• Краткое наименование: IRFZ46NPBF

• Производитель: Vishay Intertechnology, Inc., USA
• Артикул: B013933
• Краткое наименование: SI4946BEY-T1-GE3

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B014521
• Краткое наименование: WMO20N15T2

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001091
• Краткое наименование: IRF7470PBF

• Производитель: ООО "КРИП Техно", г. Александров
• Артикул: Ц0076715
• Год выпуска: 1999
• Краткое наименование: 2П303Д

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B008013
• Краткое наименование: WMO12N80M3

• Производитель: АО "ВЗПП-С", г. Воронеж
• Артикул: Ц0010698
• Год выпуска: 1996
• Краткое наименование: КП707В2

• Производитель: АО "Октябрь", Украина, г. Винница
• Артикул: Ц0068402
• Год выпуска: 1992
• Краткое наименование: КП103М

• Производитель: АО "Октябрь", Украина, г. Винница
• Артикул: Ц0010704
• Год выпуска: 1991
• Краткое наименование: КП103Ж1

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001201
• Краткое наименование: IRLMS1503TRPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001181
• Краткое наименование: IRLB3034PBF

• Производитель: ОАО "Foton", г. Ташкент
• Артикул: Ц0066551
• Год выпуска: 1995
• Краткое наименование: КП303А

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001136
• Краткое наименование: IRFR3303PBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001088
• Краткое наименование: IRF7465TRPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B000562
• Краткое наименование: IRF3710ZSTRLPBF

• Производитель: ОАО "Foton", г. Ташкент
• Артикул: Ц0016355
• Год выпуска: 2004
• Краткое наименование: 2П303А

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001053
• Краткое наименование: IRF2807SPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001061
• Краткое наименование: IRF540ZPBF

• Производитель: АО "Октябрь", Украина, г. Винница
• Артикул: Ц0010716
• Год выпуска: 1990
• Краткое наименование: КП302ВМ

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001133
• Краткое наименование: IRFR13N20DPBF

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B014340
• Краткое наименование: WMM161N15T2

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001087
• Краткое наименование: IRF7463PBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001033
• Краткое наименование: IPD640N06LGBTMA1

• Артикул: Ц0032256
• Краткое наименование: 2П302Б

• Производитель: ОАО "ИСКРА", г. Ульяновск
• Артикул: Ц0074907
• Год выпуска: 2013
• Краткое наименование: 2П302В/ИУ

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001072
• Краткое наименование: IRF7306TRPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001183
• Краткое наименование: IRLIZ44NPBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001026
• Краткое наименование: IPA80R650CEXKSA2

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001202
• Краткое наименование: IRLMS6802TRPBF*

• Производитель: ООО "СЗТП", г. Саранск
• Артикул: Ц0047460
• Краткое наименование: КП307Б

• Производитель: CYG Wayon Circiut protection Co., Ltd., China
• Артикул: B008009
• Краткое наименование: WMO08N80M3

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B001078
• Краткое наименование: IRF7329PBF

• Производитель: Infineon Technologies AG, Germany
• Артикул: B000928
• Краткое наименование: IPD60R3K3C6ATMA1

Устройство, виды, преимущества

Униполярные радиокомпоненты изготавливаются из разного сырья. Цена полевого транзистора зависит от используемого материала, сложности конструкции и параметров. Конструкция включает в себя 4 главных элемента – канал, сток, исток и затвор (катод, анод и управляющий электрод).

Существует несколько видов данных радиоэлементов, которые подразделяются на группы в зависимости от определенных признаков:

• количество контактов (3 или 4);
• тип применения;
• материал (нитрид галлия, карбид кремния, фосфид индия и арсенид галлия);
• тип проводимости;
• структура прибора (с барьером Шоттки, сплавные, МДП, диффузные).

Полевые транзисторы отличаются малым расходом энергии, оперативностью включения и выключения, высокой помехоустойчивостью и высокими показателями усиления, а также возможностью работать с недоступными для других транзисторов частотами.

Применение и ассортимент

• современная электротехника;
• системы подачи топлива;
• цифровые и аналоговые интегральные схемы;
• бытовые электроприборы, компьютеры и оргтехника;
• системы охраны пожарной безопасности.

Прежде чем купить полевые транзисторы, рекомендуется обращать внимание на среднее значение тока транзистора, частоту преобразования, максимально допустимый ток стока, напряжения и многое другое. Важно помнить, что даже маломощное статическое электричество может повредить изделие.

В разделе представлена продукция от надежных производителей: ST Microelectronics, «ВЗПП-С», NXP, «Эльдаг», Silicon Labs, «Октябрь» и другие.

Смотрите также:

Оптовая продажа электронных компонентов и радиодеталей с доставкой по всей России