S8050 и ss8050 в чем отличие

Транзистор S8050 (J3Y)

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

• Высокий коллекторный ток: I_C до 1,5 А.
• Высокая рассеиваемая мощность: P_C до 2 Вт при T_C = 25°C.
• Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды T_a=25°C

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	6
Ток коллектора, А	IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-65…+150

Электрические параметры (при T_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 35 В В, IE = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6 В, IC = 0	≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА, IE = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 2 мА, IB = 0	≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В	UEBO	IE = 100 мкА, IC = 0	≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 1 В, IC = 0,005 мА	135
	hFE (2)	UCE = 1 В, IC = 0,1 мА	160
	hFE (3)	UCE = 1 В, IC = 0,8 мА	110
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 0,05 мА	190
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация	B	C	D
hFE (2)	85…160	120…200	160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Аналог транзистора S8050

Сдается, что не о том ключе речь, или не о том транзисторе.

Если уж нужен близкий «наш» аналог именно для 8050, то я бы выбирал из кт3117 или кт645 (они уж во всяком случае хоть что-то будут усиливать при токе 0,2-0,3 А, в отличие от кт502, кт503, и уж тем более от кт602 и кт604), а то и кт815/817, если разный корпус не проблема (полный аналог был заявлен среди каких-то из кт61хх, однако живьем мне так никогда и не попадался), хотя не знаю как у вас, а у нас и сам буржуйский оригинал уже дешевле всех этих аналогов стоит.

Только вот зачем такой транзистор в проводном телефоне, где напряжения в линии от 60 В и выше (при поступлении вызова), а токи всего несколько десятков миллиампер?

Решено Транзистор S8050.Полное обозначение и замена.

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

• Маркировку
• Тип корпуса
• Логотип производителя
• Используемый узел
• Схему включения

Какая маркировка электронных компонентов ?

Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

Корпус	Краткое описание
DIP	(Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
SOT-89	Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23	Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOP	(SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
TO-220	Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
TSOP	(Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
BGA	(Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Где скачать справочник ?

Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max})
• в корпусе SOT-23 I_C (I_{к max}) – 500 мА;
• в корпусе ТО-92 I_C (I_{к max}) – 700 мА.
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
• в корпусе SOT-23 Р_к 300 мВт;
• в корпусе ТО-92 1 Вт
• допустимая температура кристалла +150 О С;
• рабочая температура от -55 до +150 О С.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

• L от 120 до 200;
• H от 200 до 350;
• J от 300 до 400.

Аналоги

• Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
• Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
• Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.