Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)
Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.
Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.
Как проверить IGBT транзистор мультиметром
Проверяется IGBT FGH40N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.
Затем произвести следующие действия:
1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.
2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.
3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.
4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.
5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.
Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:
При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.
7mbr25sa120 50 как проверить
7MBR25SA120 — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 250
Тип корпуса: MODULE
7MBR25SA120 Datasheet (PDF)
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byIGBT Modules7MBR25SA120IGBT MODULE (S series)1200V / 25A / PIMFeatures Low VCE(sat) Compact package P.C. board mount Converter diode bridge, Dynamic brake circuitApplications Inverter for motor dr
IGBT Modules7MBR25SC120PIM/Built-in converter with thyristorand brake (S series)1200V / 25A / PIMFeatures Low VCE(sat) Compact Package P.C. Board Mount Module Converter Diode Bridge Dynamic Brake CircuitApplications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power SupplyMaximum ratings and characteristicsAbsolute maximum
IGBT Modules7MBR25NE120IGBT MODULE1200V / 25A / PIMFeatures High Speed Switching Voltage Drive Low Inductance Module Structure Converter Diode Bridge Dynamic Brake CircuitApplications Inverter for Motoe Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power SupplyMaximum ratings and characteristicsAbsolute maximum ratings (Tc=25C unless without s
7MBR25SA-120-50 FUJI ELECTRIC, 7MBR25SA-120-50 Datasheet
Power Integrated Module (PIM Features • NPT-Technology • Solderable Package • Square SC SOA • High Short Circuit Withstand-Capability • Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss • .
Page 2
Electrical Characteristics Items Zero Gate Voltage Collector Current Gate-Emitter Leackage Current Gate-Emitter Threshold Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Input Capacitance Turn-on Time Turn-off Time Diode Forward On-Voltage Reverse Recovery Time Forward Voltage Reverse Current Zero .
Page 3
IGBT PIM 1200V 6x25A+Chopper .
Page 4
IGBT PIM 1200V 6x25A+Chopper .
Page 5
IGBT PIM 1200V 6x25A+Chopper .
Page 6
Specification is subject to change without notice IGBT PIM 1200V 6x25A+Chopper January 1999 b .
Обзор транзисторных, тиристорных, диодных модулей EUPEC, Semikron, Infineon, Fuji, Mitsubishi
+7(495) 640-39-69
info@cyfronsemi.com
Все материалы данного сайта носят информационный характер и не являются публичной офертой. Системы менеджмента организации соответствуют требованиям: ГОСТ РВ 0015-002-2012, ГОСТ Р ISO 9001-2015, ISO 14001-2007, ISO 16949-2009, ГОСТ Р 54934-2012, OHSAS 18001-2007, ГОСТ Р ИСО 27001-2006, ISO/IEC 27001:2005. Копирование материалов без письменного разрешения запрещено.