Fsb50550ab как проверить

посудомоечная Bosh SPV 40E10Ru плата

Что это ? Неисправности стиральной машины Коды ошибок стиральных машин Прошивки стиральных машин Схемы стиральных машин Ссылки

Это информационный блок по ремонту стиральных машин

Какие типовые неисправности стиральных машин

Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По типовым неисправностям в форуме уже рассмотрены следующее:

• не включается
• поломка сливного насоса
• неисправность блока управления
• ремонт и замена подшипников
• износ щёток мотора
• неисправность нагревательного элемента (ТЭНа)
• обрыв или растяжение ремня привода
• поломка устройства блокировки люка

Коды ошибок стиральных машин

Cовременные стиральные машинки имеют систему самодиагностики способную определить и отобразить многие неисправности. На форуме Вы найдете расшифровки кодов ошибок на стиральные машины всех типов — Ardo, AEG, Ariston, Beko, Bosch, Candy, Electrolux, Brandt, Hansa, Indesit, Kaiser, LG, Samsung, Siemens, Whirlpool, Zanussi.. Cпособы их устранения и рекомендации. Для примера, ниже перечислены расшифровка только для Bosch:

• F00, Е00 — Сбой прошивки
• E02 — Выход из строя двигателя
• E67 — Ошибка в модуле или программаторе
• F01 — Проблемы с люком
• F02 — Нет воды
• F03 — Проблема со сливом воды
• F04 — Утечка воды
• F16, Е16 — Ошибка блокировки люка
• Е17, F17 — Превышено время залива воды
• Е18, F18 — Ошибка слива воды в СМ
• F19 — Нет нагрева воды
• F20 — Незапланированный нагрев
• F21 — Нет вращения барабана
• F22 — Вышел из строя датчик температуры
• Е23, F23 — Сработал Аквастоп
• F25 — Вышел из строя Аква сенсор (датчик мутности воды)
• F26 — Вышел из строя датчик давления
• F27 — Ошибка датчика давления
• F28 — Неисправность датчика потока воды
• F29 — Нет воды, проходящей через датчик потока воды
• F31 — Уровень воды слишком высокий
• F34 — Не закрывается замок люка
• F36 — Замок стиральной машины неисправен
• F37 — Неисправен NTC
• F38 — Короткое замыкание NTC (датчик температуры)
• F40 — Ошибка сети
• F42 — Слишком высокие обороты электродвигателя
• F43 — Блокировка бака СМ
• F44 — Нет вращения в обратную сторону
• F59 — 3D-Датчик: ошибка данных
• F60 — Датчик потока неисправен
• F61 — Неверный код двери
• F63 — Проблема функциональной защиты
• F67 — Неисправность платы управления

Где скачать прошивки стиральных маших?

Где скачать схемы стиральных машин ?

Часть схем и инструкций размещена в разделе — Схемы бытовой техники и отдельных темах. В случае необходимости Вы можете запросить требуемую схему в форуме.

Ремонт ПММ Bosch SMV40E10E FD9206 02966, Попала вода в двигатель циркуляционника

При включении моргает "кранник". Иногда совместно с индикацией ECO.

Заменены на плате силового модуля:

2. Резисторы 2,2ОМ (выделены красным);

3. Резистор 472 (4,7 кОм) и 18С (15кОм) (выделены синим)

4. NPN транзистор (выделен желтым) 1GW (BC847C). Пробит переход база-эмиттер. Заменен на BC846.

5. Восстановил дорожку (выделено черным).

1. Сопротивление обмоток двигателя циркуляционного насоса Bosch 654575 на корпус (болеее 1 МОм).

2. Воду из поддона слил.

3. Поплавок Аквастопа на срабатывание. Слышны щелчки микровыключателя при поднятии поплавка.

При включении картина не изменилась: моргает "кранник", иногда совместно с индикацией ECO.

Ремонт ПММ Bosch SPS40E02EU07, FD9206, Не греет
Первичная жалоба на прерывание программы перед полосканием. Выявлена протечка и благополучно.

Ремонт ПММ Kuppersberg GSA 489 попала вода на силовой модуль
Прошу не послать 🙂 Третья посудомойка за пять лет — надоело менять их в сборе. Помогите плиз.

Ремонт ПММ Bosch SGV57T23 2 года, Переливается немного вода из бокового резервуара
Всем здрастуйте. Вопрос — Переливается немного вода из резервуара сбоку. Наполняется резервуар.

Ремонт ПММ Bosch SMV5503/06 FD7607 сразу течет вода, при наборе вытекает из переливного шланга
ПММ Bosch SMV5503/06 FD7607 при наборе воды сразу течет вода из переливного шланга. В чем причина.

FSB50550AB

FSB50550AB Характеристики

FET 3PH 500V 2A MODULE

Digi-Key:
FET 3PH 500V 2A MODULE

Arrow:
IPM MOSFET 500V 2A Tube

Avnet:
Smart Power Module 300V 23-Pin SPM Rail

FSB50550AB Datasheet PDF

• FSB50550AB Другой технические данные PDF 12 Страница, 1505 KB Посмотреть
• FSB50550AB Рисование диаграмм 2 Страница, 110 KB 2017-02-01 Посмотреть

FSB50550AB параметры（）, FSB50550AB datasheet на русском PDF и FSB50550AB схема включения, Скачать вручную（12，1505KB）. Ты можешь использовать FSB50550AB даташит на русском поиск датчик FSB50550AB характеристики схема подключения и FSB50550AB характеристики. понимать FSB50550AB схема включения как работает и FSB50550AB Описание какие на русском. FSB50550AB чем заменить: FSB50550AB аналог отечественный и FSB50550AB аналоги. FindIC Может предоставить FSB50550AB купить, FSB50550AB reference manual на русском.

Номенклатура, параметры и применение интеллектуальных силовых модулей компании Fairchild

Компанию Fairchild Semiconductor Corporation (Сан Хосе/Калифорния, США) основала в 1957 г. так называемая «вероломная восьмерка» (рис. 1) — инженеры, уволившиеся из компании Shockley Semiconductor Laboratory, созданной лауреатом Нобелевской премии по физике Уильямом Шокли. Новую компанию назвали в честь венчурного инвестора Fairchild Camera and Instrument, предоставившего финансирование в размере $1,5 млн взамен на право выкупа образованной компании, что и было сделано в 1958 г.

Рис. 1. Основатели Fairchild Semiconductor

В 1959 г. Роберт Нойс, один из основателей Fairchild Semiconductor, изобрел первую кремниевую интегральную микросхему, оказавшуюся пригодной для массового производства. Патент на нее был получен Нойсом в 1961 г. (U.S. Patent № 2981877, April 25, 1961). На рис. 2 показана памятная доска, установленная на здании Fairchild, где была изобретена первая коммерческая микросхема [1]. Вскоре компания стала одним из ведущих производителей операционных усилителей и других аналоговых микросхем. В 1968 г. Роберт Нойс и Гордон Мур вслед за рядом ведущих сотрудников уволились из Fairchild Semiconductor из-за конфликта с инвестором и основали Intel. В 1979 г. инвестор (вместе с «дочкой») был поглощен нефтесервисной компанией Schlumberger, а в 1987-м контроль над Fairchild Semiconductor перешел к National Semiconductor. Снова независимой Fairchild стала в 1997 г., а спустя два года сама приобрела подразделение устройств питания фирмы Samsung и стала публичной компанией (биржевой тикер FCS на Нью-Йоркской фондовой бирже).

Рис. 2. Памятная доска в честь изобретения первой кремниевой микросхемы

Компания имеет корпоративные офисы в Саут-Портленде (штат Мэн) и в Сингапуре, региональные центры продаж и сервиса в США, Гонконге, Великобритании, Японии и Корее. Дистрибьюторами Fairchild, в том числе авторизованными, являются десятки компаний по всему миру, в России это Arrow Central Europe, EBV Elektronik.

Достижения Fairchild в области силовых полупроводниковых приборов и микросхем для управления питанием

• 1998 г. — выпуск 8-разрядного контроллера управления двигателями ACEX в корпусе TSSOP-8.
• 1999 г. — разработка технологии SPS, позволяющей объединить микросхему ШИМ-контроллера с ключами на полевых транзисторах SenceFET в одном корпусе для применения в импульсных источниках питания; разработка технологии QFET, позволившей получить лучшие в отрасли параметры силовых ключей, таких как заряд затвора, R_{ds on}, dV/dt.
• 2000 г. — выпуск первого полевого транзистора FDZ204P в корпусе BGA размерами 2×2 мм (ток стока до 4,5 А). Запатентованная технология корпусирования позволила получать выходные токи до 30 А при небольшой площади, занимаемой приборами на плате.
• 2001 г. — компания занимает лидирующие позиции на рынках дискретных полупроводниковых приборов в Азиатско-Тихоокеанском регионе, в том числе в таких приложениях, как блоки питания (AC/DC-, DC/DC-преобразователи), приводы двигателей, балласты систем освещения.
• 2002 г. — представление запатентованной технологии SyncFET Fairchild в третьем поколении приборов PowerTrench (первый прибор FDS6670AS — N-канальный PowerTrench SyncFET 30 В/13,5 А, R_{ds on} = 9 мОм).
• 2003 г. — представление самого маленького модуля управления двигателями FSBB20CH60, содержащего 16 чипов в одном корпусе (три фазы IGBT, 600 В/20 А, размеры корпуса 44×26,8 мм).
• 2010 г. — выпуск N-канального PowerTrench SyncFET FDM7570S с минимальным в отрасли R_{ds on} = 2,9 мОм (25 В/40 А) в корпусе Power 33 размерами 3,3×3,3 мм [2].

Награды, присужденные Fairchild в 2000-х гг.

• Диплом журнала Application of Electronic Techniques (AET) — за ШИМ-контроллер со встроенным MOSFET для обратноходовых преобразователей FSEZ1307 (технология TRUECURRENT). Основные параметры прибора: U_си/I_с — 500 В/0,5 А; рабочая частота 50 кГц (без нагрузки 370 Гц, потребляемая мощность в дежурном режиме менее 30 мВт); диапазон рабочих температур кристалла T_j — –40…+150 °C; корпус SOP-7 с размерами 5×4×1,75 мм.
• Диплом журнала ECN Tech Award 2010 — за N-канальный полевой транзистор FDMC7660, выполненный по технологии PowerTrench в корпусе Power 33 (рис. 3). Основные параметры прибора: U_си/I_с — 30 В/40 А; R_{ds on} — 1,8–2,6 мОм; E_as — 200 мДж; Q_g — 54 нК; t_r/t_f — 6,8/5,7 нс; диапазон рабочих температур T_j — –55…+150 °C.

Рис. 3. Корпус Power 33

Рис. 4. Типовая схема включения контроллера для резонансных преобразователей FSFR2100

Рис. 5. Типовая схема включения понижающего преобразователя FAN2106

Рис. 6. Внешний вид модуля FSBB30CH60

Актуальные продукты Fairchild

В 2012 г. компания приступила к выпуску продуктов следующих категорий: приборы для системы управления питанием (Power Management); микросхемы для обработки сигналов (Signal Path ICs); логические микросхемы; микросхемы для систем освещения; оптоэлектроника; продукты для автомобилей [5]. Перечислим приборы, относящиеся к системам управления питанием и автомобильным компонентам:

• корректоры коэффициента мощности — 24 типа приборов;
• изолированные DC/DC-преобразователи — 136 типов, неизолированные DC/DC-преобразователи — 57;
• драйверы затворов IGBT/MOSFET — 51;
• стабилизаторы напряжения — 128;
• микросхемы и модули для управления двигателями (Motion Control) — 67;
• диоды и мосты — 1294; IGBTs — 82; MOSFET — 1171, транзисторы — 625;
• коммутаторы нагрузок (Advanced Load Switches) — 87;
• зарядные устройства (Battery Management) — 8;
• контроллеры устройств защитного отключения (Ground Fault Interrupt Controllers) — 6;
• приборы для систем задней подсветки (Backlighting Unit) — 3;
• мощные дискретные элементы — 116;
• высоковольтные драйверы затворов (HVICs) — 6;
• коммутаторы верхних плеч силовых ключей (high Side Smart Switches) — 4.

Для управления двигателями переменного тока фирма выпускает большую номенклатуру интеллектуальных силовых модулей Motion-SPM, в состав которых входят силовые элементы, устройства защиты и схемы управления верхними и нижними ключами. Особенности модулей:

• разнообразные варианты корпусов и исполнений модулей для привода двигателей мощностью до 10 л. с.;
• оптимизированные конструкции корпусов модулей для обеспечения высокой плотности мощности;
• компактность приводов промышленного назначения малой и средней мощности;
• гарантированный диапазон рабочих температур кристаллов модулей –40…+150 °С;
• высокие напряжения изоляции;
• высокая надежность и малые потери переключения.

Возможные области применения — промышленные системы управления движением (конвейеры, робототехника и т. п.); насосы; вентиляторы промышленного и сельскохозяйственного назначения; тренажеры (беговые дорожки, велотренажеры и т. п.); бытовая техника (стиральные и посудомоечные машины, холодильники, кондиционеры, электроинструменты и др.).

Интеллектуальные силовые модули

Компания выпускает четыре серии интеллектуальных силовых модулей, отличающихся диапазонами выходных токов, размерами и конструкциями корпусов. Приведенные на рис. 7 значения выходных токов модулей обеспечиваются при температуре корпуса +25 °С. Классификационные параметры интеллектуальных силовых модулей Motion-SPM компании приведены в таблице, данные взяты из Datasheets конкретных модулей, размещенных на сайте компании.

Рис. 7. Семейство модулей SPM

Таблица. Основные параметры модулей

Тип модуля	Vces/Vdss, В	Рдвиг, кВт	Ic/Id, A	Vcesat, B (Tj = +25 °C)	Rds on, Ом	fsw, кГц	Подложка	Защита
SPM45H, IGBT, в корпусе SPM26L, Uизол = 2000 В
FNA41060B2	600	1	10	2,2	5	керамика	NTC термистор, от КЗ (CSC)
FNB41560B2		1,5	15	2,1	20		NTC, CSC
FNA41560B2		1,5	15	2,3	5
FNB40560		0,5	5	1,9	20
FNB41060		1	5	2	20
FNB41560		1,5	7,5	2,1	20
FNA41060		1	10	2,2	5
FNA40560		0,5	5	2,2	5
FNA40860		0,8	8	2,2	5		от перегрева (TSD), CSC
FNA41560		1,5	15	2,3	5		TSD, CSC
SPM5, MOSFET, в корпусе SPM23L, Uизол = 1500 В
FSB50450T	500	0,15	3	2,4	20	Full package
FSB50250UD		0,1	1,1	4,2
FSB50250UTD		0,1	1,1	4,2
FSB50450UD		0,15	1,5	2,4
FSB50550UTD		0,2	2	1,4
FSB50250US		0,1	1,1	4,2
FSB50450US		0,15	1,5	2,4
FSB50550US		0,2	2	1,4
FSB50550T		0,2	3,5	1,7
FSB50450S		0,15	3,5	2,4
FSB50250		0,1	1	4
FSB50450		0,15	1,5	2,4
FSB50825US	250	0,2	2	0,45			UVLO
FSB50325T		0,1	3	1,8
FSB52006S	60	2,2	0,08
SPM3, IGBT, в корпусе SPM27L, Uизол = 2500 В
FSBB20CH60CL	600	2	20	2	20	DBC	TSD, CSC
FSBB20CH60CT		2	20	2,2
FSBF10CH60BTL		1	10	2,2		Full package
FSBB20CH60C		2	20	2		DBC
FSBB30CH60C		3	30	2
FSBB15CH60C		1,5	15	2
FSBF15CH60BT		1,5	15	2,2		Full package
FSBB15CH60F		1,5	15	2,3		DBC	CSC
FSBB20CH60F		2	20	2,3
FSBB30CH60F		1,5	30	2,75
FSBS15CH60F		1,5	15	2,3		керамика
FSB32560		2,5	25	2,15
FSBF10CH60B		1	10	2		Full package	TSD, CSC
FSBF10CH60BT		1	10	2,2
FSBF5CH60B		0,5	5	2
FSBS10CH60		1	10	2,3		керамика	CSC
FSBS15CH60		1,5	15	2,3
FSBS3CH60		0,3	3	2,3
FSBS5CH60		0,5	5	2,3
FSBB20CH60		2	20	2,3		DBC
FSBB15CH60		1,5	15	2,3
FSBB30CH60		3	30	2,75
SPM2, IGBT, в корпусе SPM32L, Uизол = 2500 В
FSAM75SM60A	600	7,5	75	2,4	5	DBC	UV, NTC, CSC
FSAM50SM60A		5	50	2,4	5
FSAM15SH60A		1,5	15	2,5	15	керамика
FSAM15SM60A		1,5	15	2,3	5
FSAM20SM60A		2	20	2,3	5
FSAM30SH60A		3	30	2,5	15
FSAM30SM60A		3	30	2,3	5
FSAM10SH60A		1	10	2,5	15
FSAM20SH60A		2	20	2,5	15

SPM2 (корпус DIP)

Модули данной серии (рис. 8) выпускаются в двух исполнениях, с керамической подложкой и подложкой DBC (Direct Bonded Cooper). Приборы FSAMxxxSM могут работать с частотами переключения 5 кГц, FSAMxxxSH — 15 кГц (типовые значения). Типовая схема включения и структура модулей с керамической подложкой показаны на рис. 9. Особенности модулей:

• встроенный термистор с отрицательным ТКС для контроля температуры;
• регулируемый ток срабатывания схемы защиты от КЗ, реализованной на основе датчиков тока эмиттеров нижних IGBT;
• раздельные выводы эмиттеров нижних IGBT;
• рабочие частоты коммутации до 20 кГц;
• отсутствие необходимости применения оптронов для питания верхних IGBT (общий вывод корпуса всех драйверов модулей);
• выходная мощность (Power rating) до 7,5 кВт при сетевом напряжении 230 В;
• оптимизация параметров IGBT в открытом и закрытом состоянии;
• напряжение изоляции 2500 В/мин (RMS/min);
• низкое тепловое сопротивление кристалл/подложка.

Рис. 8. Внешний вид модулей серии SPM2

Рис. 9. Схема включения модулей серии SPM2

SPM3 (корпус mini-DIP)

Модули выпускаются в двух исполнениях: V2 (приборы этого вида требуют внешнего соединения выводов Vs и выходов U/V/W) и V4 (приборы с внутренними связями для Vs, в их состав также интегрированы бутстрепные диоды и схемы температурной защиты). Приборы исполнения V2 FSBSxxxCHxxx обеспечивают выходной ток 3, 5, 10, 25 А и выполнены в корпусах с керамической подложкой, а модули FSBBxxxCHxxx с выходным током 15, 20, 30 А выполнены в корпусах с подложкой DBC. Модули исполнения V4 FSBFxxxCHxxBxxx выпускаются на ток 3, 5, 10, 15 А в корпусах с подложкой Full Pack, а модули FSBBxxxCHxxxCxxx на ток 15, 20, 30 А выполнены к корпусах с подложкой DBC. Внешний вид модулей серии SPM3 соответствует показанному на рис. 6, структура и типовая схема включения показаны на рис. 10. Особенности приборов:

• оптимизированные NPT IGBТ для получения наилучшего соотношения между потерями проводимости и потерями переключения;
• короткое время задержки (dead time);
• оптимизированные тепловые характеристики корпуса, позволяющие получить большую плотность мощности в приложениях небольшой мощности;
• схемы защиты UVLO, TSD, SCP;
• отдельные выводы нижних IGBT для подключения датчиков тока;
• встроенные бутстрепные диоды и резисторы в цепях затворов;
• однополярное питание драйверов верхних и нижних ключей.

Рис. 10. Схема включения модулей SPM3

SPM45H (корпус μMini-DIP)

Модули этой серии выпускаются в двух вариантах: FNAxxxx с минимальными потерями проводимости и рекомендованной рабочей частотой переключения 5 кГц и FNBxxxx с минимальными потерями переключения и рекомендованной рабочей частотой 15 кГц. Внешне приборы отличаются от представителей предыдущей серии числом выводов и размерами корпуса (39×23 мм), на 40% меньшего, чем у модулей SPM3. Структура и типовая схема их включения показаны на рис. 11. Видно, что драйверы верхних и нижних IGBT, в отличие от рассмотренных выше приборов, выполнены на двух чипах (применена новая схема драйвера затворов HVIC — три драйвера в одном чипе). Встроенный термистор интегрирован вместе с чипами IGBT в керамическую подложку модулей, что повышает эффективность схем температурной защиты. Особенности модулей:

• улучшенные кремниевые технологии IGBT, FRD для уменьшения потерь и достижения высокой электрической прочности;
• встроенные бутстрепные диоды и независимый вывод Vs;
• высокая надежность, обеспечиваемая благодаря применению подложек с улучшенными параметрами;
• схемы защиты UVLO, SCP ключевых IGBT без выведения сигнала ошибки;
• функция мягкого выключения при срабатывании схем защиты;
• отсутствие необходимости применения оптронов в цепях интерфейса драйверов HVIC;
• минимизированный ток потребления драйверов HVIC/LVIC в дежурном режиме.

Рис. 11. Схема включения модулей серии SPM45H

Серия SPM5

Модули (рис. 12) выпускаются в трех типах малогабаритных корпусов: Tiny-DIP (DIP), Tiny-DIP (SMD), Tiny-DIP (Double-DIP). Приборы предназначены для применения в управляемых электроприводах мощностью до 200 Вт и отличаются небольшой ценой и высокими эксплуатационными характеристиками. В состав модулей входят шесть полевых транзисторов (FRFET, UniFET) с оппозитными диодами (диоды с мягким восстановлением) и три полумостовых драйвера затворов MOSFET. Структура и типовая схема включения модулей (DIP, SMD) показаны на рис. 13. Особенности приборов:

• использование технологии FRFET;
• корпус с оптимизированными тепловыми характеристиками, обеспечивающий высокую плотность мощности (небольшие размеры позволяют легко интегрировать модули непосредственно в двигатели);
• высокая электрическая прочность (ruggedness) при переключении и коротких замыканиях;
• большая область безопасной работы (SOA);
• небольшой уровень электромагнитных излучений (малые dV/dt, dI/dt);
• отдельные выводы истоков нижних MOSFET для подключения датчиков тока;
• управление драйверами HVIC/LVIC с логическими уровнями КМОП/ТТЛ 3,3/5 В.

Рис. 12. Внешний вид модулей серии SPM5

Рис. 13. Схема включения модулей серии SPM5

Укажем основные параметры некоторых модулей, разработанных в последнее время (за исключением приведенных в таблице).

FNA40560 (2012 г.)

Структура и типовая схема включения модуля соответствуют приведенным на рис. 11. Входной интерфейс совместим с КМОП-логикой 3,3/5 В (на входах интерфейса установлены триггеры Шмитта). Переходные характеристики модулей при переключении показаны на рис. 14, типовые значения временных параметров для верхних и нижних IGBT: t_on — 0,7 мкс; t_{c (on)} — 0,2 мкс; t_off — 0,75 мкс; t_{c (off)} — 0,25 мкс; t_rr — 015 мкс (при V_pn = 300 В V_cc = V_bs = 15 В, I_c = 5 А, T_j = +25 °C).

Рис. 14. Переходные характеристики модуля FNA40560

Зависимости общих потерь переключения IGBT и антипараллельных диодов (FRD) модулей от тока коллектора при T_j = +150 °С, V_pn = 300 В и V_cc = 15 В приведены на рис. 15. Сопротивление встроенного термистора составляет 47 кОм при температуре +25 °С и 2,9 кОм при Т = +100 °С.

Рис. 15. Зависимость потерь переключения модуля FNA40560 от тока коллектора

FNA40860 (2011 г.)

Модули этого типа отличаются от FNA40560 бóльшими допустимым током коллектора и выходной мощностью, другие параметры изменены незначительно.

FNA41560/B2 (2010 г.)

Выходная мощность и допустимый ток коллектора этих модулей еще больше, структура и типовая схема включения также соответствуют приведенным на рис. 11. Большинство других параметров отличаются незначительно.