4511gd что за микросхема
Перейти к содержимому

4511gd что за микросхема

Монитор L1510BM Необходим аналог микросхемы AP4511GD

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

  • Маркировку
  • Тип корпуса
  • Логотип производителя
  • Используемый узел
  • Схему включения

Какая маркировка электронных компонентов ?

Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

Корпус Краткое описание
DIP (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
SOT-89 Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23 Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOP (SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
TO-220 Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
TSOP (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
BGA (Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Где скачать справочник ?

Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

4511gd что за микросхема

AP4511GD MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP4511GD

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7(6.1) A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 7(6) ns

Выходная емкость (Cd): 150(165) pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025(0.04) Ohm

Тип корпуса: PDIP8

AP4511GD Datasheet (PDF)

AP4511GDAP4511GD

AP4511GDRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 25m PDIP-8 Package ID 7AG2P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1S1RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

AP4511GDAP4511GD

AP4511GH-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 27m Fast Switching Performance ID 8.6AS1P-CH BVDSS -35VG1S2G2RDS(ON) 45mDescription ID -6.7ATO-252-4LThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD1D2desig

AP4511GDAP4511GD

AP4511GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D1/D2 N-CH BVDSS 35V Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -35VG2RDS(ON) 48mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the d

AP4511GDAP4511GD

AP4511GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 48mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD1D2designer with

AP4511GDAP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 25mD1D1 Fast Switching Performance ID 7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 40mDescription ID -6.1AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

AP4511GDAP4511GD

AP4511GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)

AP4511GDAP4511GD

AP4511GEDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D1 Lower Gate Charge RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6AG2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VS2PDIP-8G1S1RDS(ON) 42mDescription ID -5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

AP4511GDAP4511GD

AP4511GED-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D1 Lower Gate Charge RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6AG2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VS2PDIP-8G1S1RDS(ON) 42mDescription ID -5AAdvanced Power MOSFETs from APEC

AP4511GD Advanced Power Electronics Corp., AP4511GD Datasheet

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness

. Thermal Data Symbol Rthj-a Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient Data and specifications subject to change without notice N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PDIP Parameter AP4511GD RoHS-compliant Product N-CH BV DSS R DS(ON P-CH BV DSS R DS(ON Rating N-channel P-channel .

Page 2

. AP4511GD N-CH Electrical Characteristics@T Symbol Parameter BV Drain-Source Breakdown Voltage DSS ΔBV Breakdown Voltage Temperature Coefficient /ΔT DSS j R Static Drain-Source On-Resistance DS(ON) V Gate Threshold Voltage GS(th) g Forward Transconductance fs I Drain-Source Leakage Current DSS Drain-Source Leakage Current (T I Gate-Source Leakage GSS Q Total Gate Charge g Q Gate-Source Charge .

Page 3
Page 4

. AP4511GD N-Channel Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 1. Typical Output Characteristics Gate-to-Source Voltage (V) GS Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage =150 0.2 0.4 0 Source-to-Drain Voltage (V) SD Fig 5. Forward Characteristic of .

Page 5

. Fig 8. Typical Capacitance Characteristics 1 100us 0.1 1ms 10ms 100ms 0. 0.001 10 100 0.0001 Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance 4. =150 Fig 12. Gate Charge Waveform AP4511GD f=1.0MHz Drain-to-Source Voltage (V) DS Duty factor=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0. Single Pulse T Duty factor = t/T Peak T .

Page 6

. AP4511GD P-Channel Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 1. Typical Output Characteristics 110 ,Gate-to-Source Voltage (V) GS Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage =150 0.2 0.4 0 Source-to-Drain Voltage (V) SD Fig 5. Forward Characteristic of .

Page 7

. Fig 8. Typical Capacitance Characteristics 1 100us 0.1 1ms 10ms 100ms 0. 0.001 10 100 0.0001 Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance o T =150 C j -4. Fig 12. Gate Charge Waveform AP4511GD f=1.0MHz Drain-to-Source Voltage (V) DS Duty factor=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0. Single Pulse t T Duty factor = t/T Peak T .

Page 8

. ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. Package Outline : DIP Part Marking Information & Packing : DIP-8 4511GD YWWSSS 1.All Dimensions Are in Millimeters. 2.Dimension Does Not Include Mold Protrusions.    Part Number Package Code meet Rohs requirement for low voltage MOSFET only Date Code (YWWSSS) Y&#xFF1A .

AP4511GD, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт

AP4511GD, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт

Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.

Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)

Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.

  • О компании
  • Новости
  • Контакты
  • Каталог продукции
  • Производители
  • Новинки
  • Спецпредложения
  • Вакансии
  • Правила продажи товаров в интернет-магазине
  • Способы доставки
  • Вопросы и ответы
  • Способы оплаты
  • Сертификаты
  • База знаний
  • Популярное
  • Форум

©1993–2022 ЗАО «Промэлектроника»

При использовании материалов сайта ссылка на сайт обязательна!
Политика конфиденциальности

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *