Tip122 транзистор характеристики и его российские аналоги
Благодаря своим характеристикам транзистор tip122 возможно использовать в различных преобразователях напряжения, источниках питания, усилителях постоянного тока и коммутационных системах. Это мощный, кремниевый, составной биполярный n-p-n транзистор, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии с применяем схемы Дарлингтона. В связи с этим, он имеет высокий коэффициент усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения.
Распиновка
Цоколевка TIP122, если смотреть на транзистор со стороны маркировки, следующая: первая ножка слева — база, вторая — коллектор, третья — эмиттер. Выпускаются исключительно в пластмассовом корпусе TO-220 с жесткими выводами. Может встречается в полностью закрытом TO-220FP и более современном TO-220AB.
Технические характеристики
Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:
- Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
- Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
- Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
- Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
- Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
- Максимальный ток коллектора — 8 А;
- Диапазон рабочих температур -65…+160 0 С, у кристалла до 150 0 С.
Электрические
При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 0 С.
Обязательно обращайте внимание на температурные показатели.
Аналоги и комплементарная пара
Российскими аналогами TIP122 можно назвать: КТ8147А, KT716A, KT8116B. У зарубежных производителей также множество похожих устройств: TIP121, TIP121, 2N6043, 2N6044, 2SD1196, 2SD633, 2SD970, D44D3, ECG261. Ближайшими по своим параметрам являются: KSD560(Fairchild), KTD1413 (KEC), NSP701 (National Semiconductor), RCA122 (Vishay), TIP622 (Texas Instruments), 2SC1883 (Sanyo), 2SD1414, 2SD686 (Toshiba), BDT61B (Power Inovation).
Перед заменой исходного транзистора на его аналог всегда нужно внимательно сравнивать все их показатели, и учитывать особенности электрической схемы и режимы работы.
Комплементарной парой для него будет PNP-транзистор TIP127.
Примеры использования
Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.
Усилитель низкой частоты
Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.
Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора
Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.
Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.
В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.
Производители
DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания:
Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять.
Поль Валери
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор TIP122
транзистором 2SD633;
транзистором 2SD970;
транзистором ECG261;
транзистором TIP121;
транзистором TIP120;
транзистором RCA122;
транзистором TIP622;
транзистором TIP121;
транзистором 2SC1883;
транзистором 2SD1196;
транзистором 2SD686;
транзистором 2SD970;
транзистором 2SD460;
транзистором 2SD1414;
Коллективный разум.
дата записи: 2017-08-14 04:00:51
дата записи: 2017-10-09 13:23:17
дата записи: 2019-05-18 11:56:53
Добавить аналог транзистора TIP122.
Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Форум по AVR
TIP122 – низкочастотный n-p-n транзистор.
Цоколевка TIP122 в корпусе TO-220 показана на рис. 1
Характеристики транзистора TIP122
-Структура n-p-n
-Максимально допустимое напряжение коллектор-база 100 В
-Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 В
-Максимально допустимый постоянный ток коллектора 5 А
-Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 Вт
-Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 1000
Транзистор TIP127: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Габаритные и установочные размеры транзистора TIP127
Аналог транзистора TIP127
Вы можете заменить TIP127 на: 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B.
Комплементарной парой TIP127 является транзистор TIP122.
Бессвинцовой версией TIP127 является транзистор TIP127G
Характеристики транзистора TIP127
Характеристики кремниевого транзистора TIP127 говорят о том, что он довольно мощный, относится к типу составных n-p-n триодов (схема известного физика Сидни Дарлингтона). Применяется в тех схемах управления, где приоритет отдаётся мощности а не скорости переключения. Ещё одна область использования — это неспециализированные усилители и системы управления импульсными двигателями.
Цоколевка
Для удобства восприятия приведём распиновку, т.е. обозначение выводов транзистора TIP127 вместе с внутренней схемой и примером маркировки. Обратите внимание, что вывод коллектора «2» объединён с металлическим креплением. В основном выпускается данный полупроводник в пластмассовом корпусе с жёсткими ножками стандарта ТО-220.
В редких случаях Вам может попасться изделие в корпусе ТО-126. Будьте внимательны, т.к. цоколевка у таких компонентов будет иная, её мы так же приводим для наглядности.
Технические характеристики
Максимальные характеристики транзисторов очень важны, т.к. при проектировании позволяют подобрать оптимальные компоненты для работы в штатном и предельном режимах. В Datasheet TIP127 (можно скачать по ссылке в конце статьи) они приведены, измеренные в стандартных условиях при температуре +25 О С. Рекомендовано в нормальном режиме работы не допускать превышения 80% от предельных значений:
Далее в документации приводятся электрические характеристики, измеренные при определенных условиях (графа в таблицы «режимы измерения»). Значение температуры при испытаниях так же составляет +25 О С.
Рассмотрим теперь тепловые характеристики. Данная группа параметров важна для транзисторов, которые должны рассеивать немалую мощность. Следует также учитывать, что при изменении температуры кристалла параметры транзистора могут измениться.
Также эти данные важны при выборе радиатора. Ниже представлен график зависимости максимальной рассеиваемой мощности от температуры кристалла. На нем показано, что если она меньше +25 О С транзистор может рассеивать до 65 Вт, при увеличении этого показателя мощность уменьшается.
Аналоги
У транзистора TIP127 немало аналогов, среди зарубежных устройств. Вот некоторые, имеющие такой же корпус, распиновку, схожие параметры и выполняющие аналогичные функции:
- TIP125;
- 2N6040;
- TIP126;
- 2N6035;
- 2N6041;
- 2SB791;
- 2N6042;
- 2SB673;
- ECG26.
А это транзисторы, которые так же подходят в качестве аналога TIP127, но электрические параметры не полностью идентичны:
- NSP702;
- 2SB676;
- BD332;
- 2SB1024;
- BD334;
- BDW24C;
- BDT60B;
- BDW64C;
- TIP627;
- KSB601;
- KTB1423.
Есть у него и отечественный аналог — это КТ8115А.
Комплементарной парой для него является TIP122.
Производители
Производство транзистора TIP127 налажено у следующих иностранных компаний:
В России в большинстве случаев можно встретить транзисторы, выпускаемые компаниями Fairchild Semiconductor и STMicroelectronics.
Как проверить транзистор мультиметром.
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.
Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».
Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.
Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.
Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.
Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.
Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.
В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.
Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.
Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.
Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.
Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.
Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.
И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.
В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.
Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.
Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.
Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.
На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.
Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.
Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.
Отсюда делаем вывод:
1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.
А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.
Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.
Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!