Tpc8111 что это
TPC8111 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPC8111
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 107 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 590 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
TPC8111 Datasheet (PDF)
..1. tpc8111.pdf Size:231K _toshiba
TPC8111 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) TPC8111 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 8.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 23 S (typ.) Low leakage curre
8.1. tpc8117.pdf Size:214K _toshiba
TPC8117 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TPC8117 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 54 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = —
8.2. tpc8114.pdf Size:278K _toshiba
TPC8114 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TPC8114 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 47 S (typ.) Low leakage curre
8.3. tpc8119.pdf Size:256K _toshiba
TPC8119 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSV) TPC8119 Lithium-Ion Battery Applications Unit: mmLoad switch Applications Notebook PC Applications Small footprint due to a small and thin package Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 10 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 24 S (typ.) Low leakage current: IDSS
8.4. tpc8112.pdf Size:274K _toshiba
TPC8112 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TPC8112 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.0m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 31 S (typ.) Low leakage curren
8.5. tpc8118.pdf Size:196K _toshiba
TPC8118 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) TPC8118 Notebook PC Applications Unit: mm Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 36 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement mode: Vth = —
8.6. tpc8110.pdf Size:216K _toshiba
TPC8110 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPC8110 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 17 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 16 S (typ.) fs Low leakage
8.7. tpc8113.pdf Size:273K _toshiba
TPC8113 PMOS (U-MOS IV) TPC8113 2 : mm PC : RDS (ON) = 8 m () : |Yfs| = 23 S (
8.8. tpc8116-h.pdf Size:279K _toshiba
TPC8116-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII) TPC8116-H High Efficiency DCDC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications CCFL Inverter Applications Small footprint due to a small and thin package High speed switching Small gate charge: QSW = 9.7 nC (typ.) Low
8.9. tpc8115.pdf Size:280K _toshiba
TPC8115 PMOS (U-MOS IV) TPC8115 2 : mm PC : RDS (ON) = 6.5 m () : |Yfs| = 40 S (
TPC8111 транзистор полевой p-типа, 30 V, 11 A, 8.1 mΩ, mosfet
Транзистор полевой p-канальный TPC8111 используется в преобразователях силовых цепей питания ноутбуков, а также для работы в ключевом режиме. Транзистор оригинальный, не аналог. Допустимый (максимальный) ток работы I(d) 11A в импульсном режиме I(dp) — 44A.
Взаимозаменяемость транзистора TPC8111.
Транзисторы можно заменять аналогичными их параметрам, учитывая обязательно параметры схем в которых они работают. Если же вы сомневаетесь что сможете подобрать аналог по параметрам прибора и схемы, то лучше не рисковать, так как некорректная замена может повлечь за собой выход из строя других элементов схемы или вызвать её неработоспособность. Замена на оригинальный прибор TPC8111 предпочтительней во многих случаях.
Сроки и доставка.
Купить TPC8111 можно прямо сейчас с доставкой почтой в любую точку России.
TPC8111
TPC8111 Труба MOS Характеристики
TPC8111 Datasheet PDF
- TPC8111 Datasheet PDF TPC8111 7 Страница, 246 KB 2009-10-01 Посмотреть
- TPC8111 Другой технические данные PDF TPC8111 7 Страница, 236 KB 2007-08-03 Посмотреть
TPC8111 Сопутствующие товары
образ модель Производители Название продукта пакет описание цена PDF 
TPC6004
Toshiba Труба MOS SOT-163/SOT23-6/VS-6 Mosfet n-Ch 20V 6A Vs6 2-3t1a — Tpc6004(Te85l, f, m) 
TPC6103
Toshiba Труба MOS SOT-163/SOT23-6/VS-6 Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications 
TPC6104
Toshiba Труба MOS SOT-163/SOT23-6/VS-6 VS P-CH 20V 5.5A 
TPC6105
Toshiba Труба MOS SOT-163/SOT23-6/VS-6 VS P-CH 20V 2.7A 
TPC8125LQS Toshiba Труба MOS — MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP — 
TPC8125,LQ Toshiba — MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP — 
TPC6101
Toshiba Труба MOS SOT-163/SOT23-6/VS-6 VS P-CH 20V 4.5A 
TPC6102 Toshiba SOT-163/SOT23-6/VS-6 VS P-CH 30V 4.5A 
TPC8125
Toshiba Труба MOS SOP SOP P-CH 30V 10A 
TPC6003 Toshiba SOT-163/SOT23-6/VS-6 MOSFET N-CH
TPC8111 параметры（SOP-8）, TPC8111 datasheet на русском PDF и TPC8111 схема включения, Скачать вручную（7，246KB）. Ты можешь использовать TPC8111 даташит на русском поиск датчик TPC8111 характеристики схема подключения и TPC8111 Труба MOS характеристики. понимать TPC8111 схема включения как работает и TPC8111 Описание какие на русском. TPC8111 чем заменить: TPC8111 аналог отечественный и TPC8111 аналоги. FindIC Может предоставить TPC8111 купить, TPC8111 reference manual на русском.
Чем заменить транзистор TPC8111 ?
Главное — чтоб по распиновке совпадал, по параметрам достаточно смотреть на:
Drain current (допустимый ток) — определяется по максимально возможному току зарядки/разрядки. Лучше с 2-х или 3-х кратным запасом.
Gate threshold voltage (напряжение полного открытия) Чем меньше,тем лучше. Но, даже если будет немного больше, чем у TPC8111, тоже будут работать.
Drain-source ON resistance (сопротивление открытого ключа) — чем меньше, тем меньше потери.
Сообщение от Dmitriyrus :
Только если перечислете несколько моделей-аналогов из доступных.
Слишком много выпускается подходящих.