Ao4411 чем заменить
AO4411 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4411
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
AO4411 Datasheet (PDF)
..1. ao4411.pdf Size:608K _aosemi
AO441130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4411 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -8Adevice is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=-10V)
..2. ao4411.pdf Size:1241K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4411 (KO4411)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V) RDS(ON) 32m (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 55m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-
..3. ao4411.pdf Size:804K _cn_vbsemi
AO4411www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = — 10 V — 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = — 6 V — 30 — 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = — 4.5 V — 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop Vi
9.1. ao4410.pdf Size:180K _aosemi
AO441030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4410 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), shoot-through immunity,ID = 18A (VGS = 10V)body diode characteristics and ultra-low gateRDS(ON)
9.2. ao4413.pdf Size:561K _aosemi
AO441330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4413 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a ID (at VGS=-20V) -15A25V gate rating. This device is suitable for use as a load RDS(ON) (at VGS=-20V)
9.3. ao4419.pdf Size:268K _aosemi
AO441930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4419 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -9.7Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)
9.4. ao4415.pdf Size:167K _aosemi
AO441530V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4415 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gateID = -8 A (VGS = -20V)charge. This device is suitable for use as a loadRDS(ON)
9.5. ao4410.pdf Size:1236K _kexin
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4410 (KO4410)SOP-8 Features VDS (V) = 30V A (VGS = 10V) RDS(ON) 5.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 6.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gat
9.6. ao4413.pdf Size:2201K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4413 (KO4413)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 7m (VGS =-20V) RDS(ON) 8.5m (VGS =-10V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDDGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30
9.7. ao4419.pdf Size:1480K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4419 (KO4419)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 20m (VGS =-10V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gat
9.8. ao4418.pdf Size:1211K _kexin
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4418 (KO4418)SOP-8 Features VDS (V) = 30V A (VGS = 20V) RDS(ON) 14m (VGS = 20)1.50 0.15 RDS(ON) 17m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit D
9.9. ao4415.pdf Size:1311K _kexin
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4415 (KO4415)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-20V) RDS(ON) 26m (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 35m (VGS =-10V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-S
ЦТВ “NEO” NT-21TDS.Чем заменить STRG8654A в БП?
Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня
Как определить электронный компонент?
В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:
- Маркировку
- Тип корпуса
- Логотип производителя
- Используемый узел
- Схему включения
Какая маркировка электронных компонентов ?
Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).
Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.
Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.
Какие логотипы у производителей электронных компонентов?
Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.
Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов
Какие типы корпусов электронных компонентов?
Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)
Корпус | Краткое описание |
---|---|
DIP | (Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия |
SOT-89 | Пластиковый корпус для поверхностного монтажа |
SOT-23 | Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа |
SOP | (SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа |
TO-220 | Корпус для монтажа (пайки) в отверстия |
TSOP | (Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
BGA | (Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя |
Где скачать справочник ?
Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:
Ремонт телевизора BBK LT2008S
В большинстве таких случаев оказывается неисправным основной импульсный источник питания 52008-2. Необходимо замерить вторичные выходные питающие напряжения, а в случае их отсутствия проверить исправность силовых ключей преобразователей и выпрямительных диодов на наличие короткого замыкания.
При пробоях во вторичных цепях, преобразователь может работать в режиме короткого замыкания, а при КЗ в элементах первичной цепи обычно обрывается сетевой предохранитель.
Пробой ключей Mos-Fet, используемых в импульсных источниках, часто бывает вызван неисправностями других элементов, например, питающих, частотозадающих, демпферных. а так же элементов Отрицательной Обратной Связи стабилизации. Микросхема ШИМ (PWM) TOP249 (7) так же может быть причиной неисправности силового ключа преобразователя и проверяется заменой.
— Нет изображения, но звук есть, на пульт реагирует. Либо изображение появляется при включении и сразу пропадает
Данные проявления могут быть спровоцированы и модулем питания, либо дефектами инвертора, а так же перекосом токов в лампах по причине их неравномерного износа. Если все электролитические конденсаторы фильтра по питанию инвертора исправны, следует убедиться в исправности ламп, далее необходимо проверить ключи преобразователя и вторичные обмотки трансформаторов.
Иногда в целях диагностики требуется отключение защиты инвертора. В таких случаях необходимо соблюдать особую осторожность при работах, а цепи защиты следует восстановить сразу после окончания ремонта.
— Индикатор моргает или светится постоянно, телевизор не включается, на пульт не реагирует.
Ремонт или диагностика материнской платы 11703K-0 следует начать с проверки стабилизаторов и преобразователей питания, необходимых для питания микросхем и матрицы. При необходимости, следует обновить или заменить ПО (программное обеспечение). При ремонте платы MB, необходимо проверить её компоненты 92TL95D7T1 STV8216 L4950TS. Неисправные элементы следует заменить. Если применяются чипы с технологией пайки BGA, проблема в её реализации обнаруживаются методом локального нагрева чипа.
Прежде чем менять тюнер JS-6B2/121, если отсутствует возможность настройки на телевизионные каналы, следует убедиться в наличии питающих напряжений, которые необходимо измерить на соответствующих выводах тюнера и проверить ПО на корректность. Импульсы обмена данными тюнера с процессором можно проконтролировать осциллографом
Ещё раз напоминаем пользователям телевизора: не следует делать попытки самостоятельного ремонта, не имея соответствующих знаний, опыта и необходимой квалификации! Доверяйте ремонт профессионалам с достаточным опытом работы в сфере ремонта электронной техники.
Основные особенности устройства BBK LT2008S:
Установлена матрица (LCD-панель) 20 дюймов.
Для питания ламп подсветки применяется инвертор BL2006001, управляется ШИМ-контроллером BIT3106A (30). В качестве силовых элементов инвертора применяются ключи типа AO4411 (8) , AO4404 (8).
Формирование необходимых питающих напряжений для всех узлов телевизора BBK LT2008S осуществляет модуль питания 52008-2, либо его аналоги c использованием микросхем TOP249 (7).
MainBoard — основная плата (материнская плата) представляет собой модуль 11703K-0, с применением микросхем 92TL95D7T1 STV8216 L4950TS и других.
Тюнер JS-6B2/121 обеспечивает приём телевизионных программ и настройку на каналы.
Внимание мастерам!
Информация на этом сайте накапливается из записей ремонтников и участников форумов.
Будьте внимательны! Возможны опечатки или ошибки!
Компьютерный форум
Здесь решают различные задачи сообща. Присоединяйтесь!
- Список форумовВсе что нужно знать об этом форумеЗакрытые форумыРемонт ноутбуков
- Поиск
Ремонт нетбука LG X120 model: LGX12
Ремонт нетбука LG X120 model: LGX12
Сообщение IntelSat » 13 ноя 2014, 18:52
DesignerMix Администратор
Сообщения: 6996 Зарегистрирован: 25 апр 2014, 10:51 Откуда: Белгород Контактная информация:
Re: Ремонт нетбука LG X120 model: LGX12
Сообщение DesignerMix » 13 ноя 2014, 19:32
Все верно, слева такой-же 30-и вольтовый MOSFET — AO4924 (по ссылке datasheet)
Если у вас есть донорские платы, можете подобрать подобный, их обычно можно часто встретить во входных цепях и цепях зарядки аккумулятора.