Где найти транзистор bc547
Перейти к содержимому

Где найти транзистор bc547

Транзистор bc547 это какой будет если его заменить на smd?

Транзистор ВС547 выпускается в корпусе SOT54. По крайней мере это относится к фирме NXP Semiconductors.

Этот же транзистор но в SMD корпусе носит название ВС847.

Характеристики абсолютно одинаковые, только корпуса разные.

Та же фирма NXP Semiconductor выпускает их в корпусах SOT23,SOT323, SOT416,SOT883.

Обозначения наносимые на SMD-корпуса транзисторов ВС847 и корпуса транзисторов ВС547 следующие. Опять же это относится к транзисторам NXP Semiconductor. У других производителей обозначения могут различаться.

Транзистор BC547

BC547 – биполярный n-p-n транзистор общего назначения (general purpose), представляющий группу, в составе которой, например, компания Farchild Semiconductor выпускает еще четыре прибора, имеющих близкие характеристики, – BC546, BC548, BC549 и BC550.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92, представляющем из себя усеченный с одной стороны цилиндр, с одного из торцов которого выведены три ножки прибора, находящиеся в одной плоскости и соединенные с электродами в следующем порядке: коллектор, база, эмиттер (если смотреть со стороны надписи и перечислять слева направо).

Транзистор BC547

Особенности и применение

Высокий коэффициент усиления и небольшой собственный шум позволяют применять эти детали во входных каскадах усилителей, а малое значение напряжения насыщения – в качестве переключателя.

Комплементарные пары

Два транзистора являются комплементарными, или дополняющими, если имеют различную проводимость и очень близкие характеристики. Такие пары часто используются в усилительных каскадах. Для BC546–550 комплементарными являются, соответственно, транзисторы BC556–560.

Группировка транзисторов в зависимости от коэффициента усиления

Наличие в названии транзистора после цифр буквы означает, что величина параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для BC547-550 принята следующая разбивка:

  • А (hFE = 110… 220);
  • В (hFE = 220… 450);
  • С (hFE = 420… 800).

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение Параметр Значение
VCBO Напряжение коллектор-база, В BC546 80
(UCB max) BC547/550 50
BC548/549 30
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер, В BC546 65
(UCE max) BC547/550 45
BC548/549 30
VEBO (UEB max) Напряжение эмиттер-база (обратное), В BC546/547 6
BC548-550 5
IC (ICmax) Ток коллектора, А 0,1
PC (PC max) Рассеиваемая мощность, Вт 0,5
Tj (tjmax) Температура кристалла, °С 150
Tstg Температура хранения, °С -65…+150

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение Параметр Условия измерений Значение
Мин. Тип. Макс.
ICBO Обратный ток коллектора, nA VCB =30В, IE =0 15
hFE (h21) Коэффициент усиления VCE =5В, IC =2мА 110 800
VCE(sat) (UBEsat) Напряжение насыщения к-э, мВ IC=10 мA, IB =0,5мA 90 250
IC=100 мA, IB =5мA 200 600
VBE(sat) (UBEsat) Напряжение насыщения б-э, мВ IC =10 мA, IB =0,5мA 700
IC =100 мA, IB =5мA 900
VBE (UBE) Напряжение б-э (прямое), В VCE =5 В, IC =2 мA 580 660 700
VCE =5 В, IC =10 мA 720
fT Граничная частота, МГц VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц 300
Cob Выходная емкость, пФ VCB =10В, IE =0,
f= 1MГц
3,5 6
Cib Входная емкость, пФ VEB =0,5В, IС =0,
f= 1MГц
9
NF (F) Коэффициент шума, дБ ВС546-548 VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц,
Δf=200Гц
2 10
ВС549, 550 1,2 4
ВС549 VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц 1,4 4
ВС550 1,4 3
  1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
  2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Типовые характеристики

Выходная характеристика

Рис. 1. Выходная характеристика IC = f(VCE) при IB = 50… 400 мкА.

Передаточная характеристика

Рис.2. Передаточная характеристика IC = f(VBE) при VCE =5 В.

Коэффициент усиления

Рис.3. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE = 5 В.

Зависимость напряжений насыщения от тока коллектора

Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б

Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б (f = 1 кГц, эмиттер свободен).

Модификации транзистора

BC547AP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
BC547B 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
BC547BA3 0.625 W 60 V 50 V 6 V 150 °C 2.1 pf 0.2 A 200 100 MHz TO92
BC547BBK 0.5 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.1 A 150 300 MHz TO92
BC547BP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
BC547C 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 420 200 MHz TO92
BC547CBK 0.5 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.1 A 270 300 MHz TO92
BC547VI 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 75 150 MHz TO92
LBC547 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547A 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547AP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547B 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
LBC547BP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
LBC547C 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 420 200 MHz TO92
LBC547VI 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 75 150 MHz TO92
SBC547 0.625 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 150 MHz TO92
TBC547 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тема: Чем заменить bc547c/bc557c

Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

Понятно, это печально. Уже есть куча готовых плат под то-92, и я как то не догадался ноги у них треугольником растаскивать.
А 847/857 вроде тоже не рекомендуются для новых разработок:

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

Сообщение от Alemoke

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

Сообщение от Alemoke
Сообщение от Alemoke
Сообщение от mellowman

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

Сообщение от Alemoke

Та же история, заказал в двух местах, приехало палево

Сообщение от Olegyurich

ONS? Не, их не хотелось бы

Придётся таки переходить на смд, посматриваю на пару 2SC3324/2SA1312, вроде неплохие.

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Созданные темы

Re: Чем заменить bc547c/bc557c

Нормальные эти транзисторы давно сняли с производства, остаётся искать замену, или китайские. У самого есть по 35 штук ВС547В, С. ВС557В, С — с маркировкой РН и моторола, выпуска середина 80-х. Стояли в промышленных блоках и подобраны по параметрам.

———- Сообщение добавлено 07:52 ———- Предыдущее сообщение было 07:40 ———-

И ещё некоторые пишут на разных форумах — старые детали выбросить на помойку, при разборки старой аппаратуры, будь бытовая или промышленная ничего не выбрасываю. Там можно найти много нормальных комплектующих, китайское гавно стараюсь заказывать лишь по крайней необходимости.

Характеристики транзистора BC547

Как написано в технических характеристиках, BC547 – это кремниевый усилительный транзистор, который может использоваться в широком спектре различных устройств. Имеет n-p-n структуру. Был разработан компаниями Philips и Mullard в 1966 году. Сначала изготавливался в металлическом корпусе ТО-18 и назывался ВС107, который через время был заменён более дешёвым пластмассовым ТО-92. Его маркировка ВС говорит о том, что его основной материал кремний (В) и может использоваться в низкочастотных устройствах (С).

Цоколевка

Распиновка транзистора BC547 выполнена в пластмассовом корпусе с тремя гибкими ножками, предназначенными для дырочного монтажа. Если смотреть на транзистор сверху прямо на срез, то слева будет расположен коллектор, потом база и крайний справа вывод – это эмиттер. Детально ознакомиться с габаритами и внешним видом изделия можно по рисунку.

BC547 распиновка транзистора

Технические характеристики

Рассмотрение технических параметров BC547, как и все производители начнём с максимально допустимых режимов эксплуатации. Данные значения важны, так как от них, во многом, зависят возможности транзистора. Для рассматриваемого устройства они были измерены при температуре +25°С и равны:

  • напряжение К – Б Uкб max = 50 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max = 45 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max = 6 В;
  • ток коллектора Iк max = 100 мА;
  • мощность Pк max = 0,625 Вт;
  • температура хранения Tstg = -55 … +150°С;
  • температура кристалла Тj = 150°С;
  • тепловое сопротивление переход – корпус Rthj-case = 83,3 °С/Вт;
  • тепловое сопротивление кристалл – воздух Rthj-amb = 200 °С/Вт.

После предельно допустимых перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности BC547. Они были измерены при температуре +25°С. Остальные значения параметров, от которых зависят результаты тестирования, приведены в колонке «Условия измерения».

Кроме этого, некоторые производители делят транзисторы BC547 на три группы, в зависимости от к-та усиления: А (h FE = 100 …220), В (h FE = 200 …450), С (h FE = 420 …800).

Аналоги

Среди аналогов BC547 можно назвать: 2SC945, BC546, BC550, 2N2222. Среди отечественных транзисторов, которые могут его заменить, можно назвать КТ3102А, КТ3102АМ, КТ3102Б, КТ3102БМ, КТ3102Г. При поиске подходящего устройства нужно быть внимательным и проверять технические характеристики.

Производители и Datasheet

Приведем самых крупных производителей и их datasheet на BC547:

  • Fairchild Semiconductor;
  • Micro Commercial Components;
  • NXP Semiconductors;
  • Diotec Semiconductor;
  • Weitron Technology;
  • Continental Device India Limited;
  • Unisonic Technologies;
  • ARTSCHIP ELECTRONICS;
  • ON Semiconductor;
  • Pan Jit International.

В продаже можно найти рассматриваемый транзистор выпущенный: Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, Diotec Semiconductor.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *