Транзисторы МП25, МП26, МП35, МП36, МП37, МП38.
Т ранзисторы МП25, МП26 — германиевые, маломощные низкочастотные,универсальные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами. Предназначены для применения в переключающих устройствах и для усиления низкой частоты .
Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора — 200 мВт .
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э ):
У транзисторов МП25, МП26, МП25А, МП26А — не менее 250 КГц;
У транзисторов МП25Б, МП26Б — не менее 500 КГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер
У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 40 В
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 60 В
Максимально допустимый средний ток эмиттера — 80 мА.
Максимальный импульсный ток коллектора — 400мА;
Коэффициент передачи тока:
У МП25, МП26 — от 10 до 25.
У МП25А, МП26А — от 20 до 50.
У МП25Б, МП26Б — от 30 до 80.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 600 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 600 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении эмиттер-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 20 в, токе коллектора 2,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — не более 150 Ом.
При напряжении эмиттер-база 35 в, токе коллектора 1,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — не более 150 Ом.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц:
При напряжении коллектор-база 20 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 70 пФ.
При напряжении коллектор-база 35 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 50 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП25А — 2SB136
МП25Б — 2SB176
МП26Б — ASY24
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38.
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Корпус металлостекляный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МП35 от 13 до 125.
У МП36А находится в пределах от 15 до 45.
У транзисторов МП37, МП37А — от 15 до 30.
У транзисторов МП37Б — от 25 до 50, МП38 — от 25 до 55.
у транзисторов МП38А — от 45 до 100.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП37А, МП37Б — 30в.
У транзисторов МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А — 15в.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП35 .
До 1 МГц у транзисторов МП36А, МП37, МП37А, МП37Б.
До 2 МГц у транзисторов МП38, МП38А.
Максимальный ток коллектора. — 20мА в режиме усиления, 150мА — в ключевом режиме.
Рассеиваемая мощность коллектора — 150мВт.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 5 в — 30 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 5 в — 15 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 1 мА, на частоте 500 кГц — не более 220 Ом.
Емкость коллекторного перехода:
При напряжении коллектор-база 5 в — 60 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП35А — GC525
МП36А — 153NU70
МП37 — 2N445A, 103NU70
МП37А — 106NU70
МП37Б — T322N
МП38А — 107NU70
МП35 — 101NU70
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Транзистор мп37 чем заменить
Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Источники питания для автомобильной электроники, включая маяки, GPS/ГЛОНАСС-трекеры и охранную сигнализацию, должны обеспечивать бесперебойное питание и безопасность, а также быть устойчивыми к вибрации и исправно работать при низких температурах. Батарейки FANSO EVE Energy обладают всеми необходимыми параметрами для надежной работы оборудования современного автомобиля.
На складе КОМПЭЛ доступны сетевые адаптеры (внешние блоки питания) производства MEAN WELL, представленные семействами GS, GST и GSM различного конструктивного исполнения: в розетку и настольные. Адаптеры GS и GST предназначены для питания различных промышленных и бытовых приборов, а семейство GSM может применяться для питания устройств медицинского назначения, поскольку соответствует требованиям EN 60601-1 и 60601-1-11. При этом они характеризуются малым потреблением энергии на холостом ходу.
Транзистор МП37Б
МП37Б
Транзисторы МП37Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.651ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: T322N.
Основные технические характеристики транзистора МП37Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25. 50
Транзистор мп37 чем заменить
КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25вт ) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц). Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.
Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».
В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.
В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.доп,а частотной — максимальная частота генерации fмакс.
Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.
Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).
Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.
Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.
Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».
Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.
Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:
М — холодносварной корпус;
Э — улучшенная влагостойкость;
И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.
ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /к0и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.
Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.
Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.
Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.
Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.
К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно допустимых параметров (Рк.доп UK3,/K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.
Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.
Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.
Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.
Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.