Чем заменить buz11

Чем заменить buz11

BUZ11 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ11

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

BUZ11 Datasheet (PDF)

BUZ11BUZ11FIN — CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ11 50 V

..2. buz11.pdf Size:81K _fairchild_semi

BUZ11Data Sheet June 1999 File Number 2253.230A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 30A, 50V[ /Title This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.040(BUZ1field effect transistor designed for applications such as SOA is Power Dissipation Limited1) switching regulators, switching converters, motor drivers, Nanosecond Sw

..3. buz11.pdf Size:218K _onsemi

BUZ11Data Sheet September 2013 File Number 2253.2FeaturesN-Channel Power MOSFET50V, 30A, 40 m 30A, 50VThis is an N-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.040field effect transistor designed for applications such as SOA is Power Dissipation Limitedswitching regulators, switching converters, motor drivers, Nanosecond Switching Speedsre

..4. buz11.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.04(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

BUZ11AN — CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ11A 50 V

BUZ 110 SSPP80N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 110 S 55 V 80 A 0.012 TO-220 AB Q67040-S4005-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

BUZ111SLSPP80N05LSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ111SL 55 V 80 A 0.01 TO-220 AB Q67040-S4003-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current

0.5. buz11al.pdf Size:332K _siemens

0.6. buz110s.pdf Size:126K _infineon

BUZ 110SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.01RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 80 AID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ110S P-TO220-3-1 Q67040-S4005-A2 Tub

0.7. buz111sl.pdf Size:101K _infineon

BUZ 111SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.007RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 80 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ111SL P-TO220-3-1

0.8. buz111s.pdf Size:112K _infineon

BUZ 111SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.008RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 80 AID Avalanche rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ111S P-TO220-3-1 Q67040-S4003-A2 Tub

0.9. buz110sl.pdf Size:104K _infineon

BUZ 110SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.01RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 80 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ110SL P-TO220-3-1 Q

0.10. buz11a.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11AFEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.055(Max)DS(on)Avalanche rugged technologyHigh current capability175 Operating TemperatureHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current,high speed switchingSolenoid and relay drivers

0.11. buz11s2.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11S2FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.04(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,re

Можно Ли Заменить Транзистор?

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Последние посетители 0 пользователей онлайн

• Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

Объявления

Сообщения

,50/60 Гц (12 А) Потребляемая мощность при 2 Ом:350 Вт!! 300 Ватт там Максимум!

Транзисторы BUZ11 — параметры, расположение выводов.

Т ранзисторы BUZ11 — кремниевые, полевые МДП, тип канала — n. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания , преобразователях в качестве мощных ключевых элементов. Корпус TO-220, с гибкими выводами.
Маркировка буквенно — цифровая.

Основные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Р_Dmax) — 75 Вт(на радиаторе).

Крутизна характеристики (передаточная проводимость)g_fs — 1,5 А/В.

Максимальный постоянный ток истока I_Dmax — 30 А, пульсирующий — 120 А.

Максимальное напряжение сток-исток U_DSmax — 50В.

Максимальное напряжение затвор-исток U_GSmax — ±20В.

Максимальное значение сопротивления исток-сток во включенном состоянии R_DS(on)max — 0,04Ом.

Тема: Усилитель для наушников на BUZ11

Усилитель для наушников на BUZ11

Собственно прежде чем браться за зен или фолловер (не собирал на транзисторах ничего сложнее имитаторов звука) решил сделать чтото близкое по духу но маленькое для наушников на работу.
Приглянулась эта схема да печатки под неё не нашлось решил сделать свою с блекджеком и шлюхами

Прошу посмотрите печать может где грабли какие в неведомых мне нюансах разводки платы под дискретный усил (На ошибки разводки проверил )

ЗЫ Вид со стороны печати и ежели оно кому приглянется то в архиве файл лейаута