Графен как проводник

XII Международная студенческая научная конференция Студенческий научный форум — 2020

Раньше считалось, что свободную идеальную двумерную плёнку получить невозможно. Но после открытия углеродных нанотрубок появился интерес к двумерной аллотропной модификация углерода – графену. В 2004 году британскими учёными российского происхождения Андреем Геймом и Константином Новоселовым из Манчестерского университета была опубликована работа в журнале Science [1], где сообщалось о получении графена на подложке окислённого кремния. Так что же такое графен и как его применяют в электронике?

Графен(англ. graphene) является двумерной (2D) аллотропной модификацией углерода. Слой графена состоит из атомов углерода, расположенных на расстоянии 0,14 нм друг от друга в узлах гексагональной решетки. При этом каждый атом связан с тремя соседними атомами ковалентными химическими σ-связямис sp 2 -гибридизацией, а четвертый валентный электрон включен в сопряженную π-систему графена. Таким образом, три связи, расположенные в плоскости, задают геометрическую структуру графена, а четвертая — его уникальные электронные свойства [2].

Рис. 1. Графеновые слои в графите.

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГРАФЕНА (при комнатной температуре):

Наименование показателя:

Длина связи С–С, нм

Плотность, мг/м 2

Удельная площадь поверхности, м 2 /г

Подвижность электронов, см 2 / (В с)

Модуль Юнга, ТПа

Теплопроводность, Вт/ (м К)

Достоинства и недостатки графена

К достоинствам графена можно отнести следующее:

Высокая электропроводность. Графен — может проводить электричество как обычная медь. На его основе можно создавать различные электрические приборы.

Отличная оптическая чистота. Графен — может поглощать только чуть более 2% видимого света вне зависимости от характеристик излучения. Вследствие этого данный материал практически бесцветен. Сторонний наблюдатель может назвать его невидимым.

Высокая механическая прочность. Графен — по прочности превосходит алмаз.

Гибкость. Графен — является более гибким, чем кремний. По данным параметрам он даже превосходит резину. Благодаря однослойной структуре можно изменять форму и растягивать графен по мере необходимости.

Способность противостоять внешним воздействиям.

Рекордная теплопроводность. Графен — по данному показателю превосходит медь в десять раз.

К недостаткам графена можно отнести следующее:

На данный момент трудно получать графен большой площади в промышленных масштабах с заданными высоко-химическими характеристиками. Удается получить лишь небольшие по размерам листы графена.

Промышленный графен по своим свойствам в большинстве случаев проигрывает экземплярам, которые получены в научных лабораториях. Поэтому достичь аналогичных характеристик при применении промышленных средств на данный момент не удается, несмотря на совершенствование технологий.

Производство графена требует значительных затрат, что ограничивает его применение.

Применение графена

Сотни применений этого материала предложены уже сегодня, и каждую неделю появляется информация о новых возможностях графена.

Особые свойства графена позволяют не только эффективно отводить тепло, но и преобразовывать его обратно в электрическую энергию. Учитывая, что графеновая решетка имеет толщину в один атомный слой, несложно предсказать, что плотность элементом на чипе резко возрастет и может достигнуть 10 миллиардов транзистором на квадратный сантиметр. Уже сегодня реализованы графеновые транзисторы и микросхемы, смесители частоты, модуляторы, работающие на частотах выше 10 ГГц.

Графеновые транзисторы — база миллиметрового прорыва. Перспектива такого прорыва базируется на использовании рекордно высокой подвижности носителей заряда в графене. При осаждении графена из паровой фазы на подслой меди и перенесении подслоя на диэлектрическую подложку из алмазоподобного углерода удалось получить транзисторы с предельной частотой f_T≈ 155 ГГц.

Подвижность электронов в графене гораздо больше, чем в кремнии, поэтому цифровые элементы из графена обеспечивают более высокую частоту работы. Так, транзисторы IBM работают на частоте 26 ГГц и имеют размер около 240 нм. Поскольку между размерами транзистора и его производительностью существует обратная зависимость, увеличение рабочей частоты достигается за счёт уменьшения его размеров.

Первая графеновая интегральная схема. Разработчики такой ИС (графенового СВЧ-смесителя на диапазон 10 ГГц) презентовали это устройство для доказательства возможности амбиполярной работы нелинейных чипов на терагерцевых скоростях [4].

Рис. 2. Интегральная схема графенового СВЧ-смесителя на диапазон 10 ГГц.

Микросхемы памяти. Во время лабораторных тестов группе профессора Джеймса Тура из американского Университета Райс удалось создать кремниевые модули, на которых были размещены 10 атомарных слоёв графена. В итоге графеновый слой получил толщину около 5 нм. В новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения информации примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нм модулях NAND-памяти. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить ёмкость модулей памяти. Кроме того, данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию [5] .

Еще одно преимущество разработки заключается в беспрецедентной экономичности расхода энергии. Для хранения данных модули памяти используют два исходных состояния — нейтральное (выключенное) и заряженное (включённое). Для того, чтобы закодировать 1 бит информации в графеновых модулях требуется в миллион раз меньше энергии, чем для кодирования того же бита в кремниевых чипах.

Электроды для суперконденсаторов. Проводимость графеновых электродов превышает 1700 См/м, тогда как у электродов на активированном угле она составляет лишь 10-100 См/м. Благодаря высокой механической прочности LSG-электроды могут использоваться в суперконденсаторах без связующих элементов или токоприёмников, что упрощает конструкцию и снижает себестоимость изготовления суперконденсаторов.

Дисплеи для портативных устройств. Графен можно использовать вместо ITO (оксида индия-олова) в электродах для OLED-дисплеев. Во-первых, это позволяет снизить стоимость дисплея, а во-вторых, упрощает его утилизацию за счёт прекращения использования металлических элементов. Кроме того, графен пропускает до 98% света. Это значительно выше показателя пропускания лучших материалов из ITO (82-85%). Графен обладает высокой электропроводностью, что позволяет использовать его для создания прозрачных электродов, управляющих поляризацией и состоянием жидких кристаллов.

Производные графена. Исследователями из Университета Висконсина-Милуоки был получен полупроводниковый материал на основе графена, в котором атомы кислорода заключены в гексагональную структуру графена. В ходе нагрева оксида графена в вакууме должен был выделиться кислород и получиться многослойный графен. Однако при повышении температуры атомы углерода и кислорода стали выстраиваться в упорядоченную структуру моноокиси графена, не существующего в естественном виде.

Полученный материал обладает полупроводниковыми свойствами и имеет широкие перспективы применения в производстве электроники. Меняя температуру нагрева, исследователи получили четыре новых материала. В настоящее время определяется устойчивость моноокиси графена и возможность масштабировать этот материал для производства.

Недавно установлено, что несколько слоёв графена, нагретые при температуре 300-400°C в присутствии порошкового хлорида железа (FeCl₃) приводит к интеркаляции слоёв графена и хлорида железа. Электроны из хлорида железа увеличивают число носителей заряда в слоях графена, в результате чего поверхностное сопротивление слоя падает до 8,8 Ом на квадрат при видимой прозрачности материала 84%. Новый материал имеет хорошую долговременную и температурную стабильность.

Учёные из Ренсселарского политехнического института в США нашли способ управления свойствами графена. Выяснилось, что определяющую роль в формировании свойств графена играет материал, на котором он выращивается. В частности, если подложку, на которой будет выращена структура, активировать кислородом, то полученный лист графена будет обладать свойствами полупроводника, если водородом – то свойствами металла.

Для того, чтобы производить из графена электронику, необходимо использование графена только с одними и теми же, постоянными свойствами. На текущий момент развиваются и применяются десятки методов по получению графена различного качества, формы и размера[6].

Среди методов, которые могут быть использованы, можно выделить три класса, получаемого графена:

Хлопьевидный восстановленный оксид графена, который применяется для проводящих красок, композитных материалов и так далее.

Плоский графен, применяемый для создания высокопроизводительных электронных устройств.

Плоский графен, применяемый для создания неактивных и низкопроизводительных устройств.

Другие сферы применения графена:

В альтернативной электронике:

наноплазмоника и оптоэлектроника

В химическом применении:

Графен — как проводник:

холодные катоды, прозрачные покрытия и проводящие электроды

суперконденсаторы и электрические батареи

НЭМС (наноэлектромеханические системы)

При механическом отслаивании графен применяется для исследований.

При химическом отслаивании графен применяется для создания композитных материалов, покрытий, красок, чернил, биоприложений, конденсаторов, прозрачных проводящих слоев.

При химическом отслаивании через оксид графена материал применяется для создания композитных материалов, покрытий, красок, чернил, биоприложений, конденсаторов, прозрачных проводящих слоев.

При методе CVD графен применяется для создания наноэлектроники, фотоники, биоприложений, сенсоров, прозрачных проводящих слоев.

При методе SiC графен применяется для создания электронных устройств, высокочастотных транзисторов и иных устройств.

Уникальные свойства, которыми обладает графен, смогут обеспечить к нему внимание на десятки лет. Возможно, данный материал начнет вытеснять кремний из электронной промышленности. Сразу углеродные материалы не смогут заменить кремний в микроэлектронике, но создание гибридных микросхем, уже выходит на коммерческий уровень.

Литература :

Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science. 2004. Vol. 306 , p. 666-669.

Графен / А. Г. Алексенко. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014. — 168 с.

Pumera M. Graphene in biosensing, Review, Materialstoday. July-August. 2011. Vol. 14, № 7-8, p. 308-315.

First Graphene Integrated Circuit IBM researchers take next step in building graphene-based electronics By Neil Savage / June 2011.

Юдинцев В. «Наноэлектроника стремительно набирает силы» // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 2009. С.82.

Tim J. Booth, Peter Blake, Rahul R. Nair, Da Jiang, Ernie W. Hill, Ursel Bangert, Andrew Bleloch, Mhairi Gass, Kostya S. Novoselov, M. I. Katsnelson and A. K. Geim: Macroscopic Graphene Membranes and Their Extraordinary Stiffness, Nano Lett., 2008, 8 (8), p. 2442-2446.

Графен — идеальный проводник электронов

Наноленты графена толщиной в один атом углерода, созданные физиками оказались идеальными проводниками электронов. В этом они превзошли даже самые смелые предположения ученых. Команда во главе с физиком Уолтом де Хеером из Технологического института Джорджии создала ленты графена, в которых электроны способны пробегать более 10 микрометров, не рассеиваясь и не встречая сопротивления (то есть, не сталкиваясь с атомами углерода и другими электронами). Это в тысячу раз дальше, чем в других нанолентах, созданных из графена.

Ленты команды де Хеера в проведении электронов в десятки раз превзошли то, что было предсказано теоретическими моделями. Электроны движутся по ленте подобно тому, как свет проходит по оптическому волокну, а не как заряженные частицы в стандартном проводнике. Это открытие может помочь реализовать потенциал графена в электронике высокого класса. Исследователи надеются, что он сможет превзойти традиционные материалы (такие как широко используемый кремний). Однако не все ученые считают, что у открытия есть будущее в цифровых технологиях.

Ученые получили графеновый сверхпроводник

Британские ученые нашли способ сделать из графена сверхпроводник и обнаружили его многообещающие свойства.

Плоский одноатомный слой углерода образует графен – материал, который сразу показал массу удивительных свойств. Он необычайно механически прочен, отлично проводит тепло и, как предсказывает теория, должен быть сверхпроводником, то есть демонстрировать нулевое сопротивление протекающему току. Впервые добиться этого удалось лишь в прошлом году, допировав кристаллическую решетку графена кальцием. Однако этот подход больше похож на хитрость: превращение в сверхпроводник требует внедрения атомов кальция в структуру самого материала, так что его после этого вряд ли можно назвать чистым графеном.

«Уже давно было показано, что при подходящих условиях графен должен совершать фазовый переход и становиться сверхпроводящим, – говорит один из авторов работы, кембриджский физик Джейсон Робинсон (Jason Robinson). – Идея нашей работы состояла в том, чтобы соединить графен со сверхпроводником, как бы “включив” скрытую в нем самом электропроводимость». Статья, в которой Джейсон и его коллеги из Великобритании, Израиля и Норвегии рассказывают о своих экспериментах, опубликована журналом Nature Communications.

Стоит пояснить, что в сверхпроводниках электроны объединяются в куперовские пары, которые, в зависимости от сочетания свойств этих связанных электронов, проявляют разные типы сверхпроводимости. Ученые использовали хорошо изученный сверхпроводящий материал – оксид празеодима-церия-меди (Praseodymium Cerium Copper Oxide, PCCO), куперовские пары в котором образуют способную двигаться с нулевым сопротивлением d-волну.

Однослойные образцы графена ученые помещали на подложку РССО, после чего с помощью туннельной микроскопии и спектроскопии исследовали его электрические свойства. Судя по полученным данным, графен проявлял сверхпроводимость, причем ее оказалось легко отличить от сверхпроводимости самой подложки: она связана с другой формой куперовских пар, p-волной.

Если эти результаты подтвердятся, то графен окажется еще интереснее, чем ожидалось. Он станет первым полученным учеными материалом с p-волновой сверхпроводимостью при температуре выше –269 °C. Возможно, его изучение позволит создать и новые такие материалы для следующих поколений электрической и электронной техники.

Сверхпроводник из многослойного графена: исследование плоских зон

Далеко не всегда, открыв какое-то вещество, ученые сразу же понимают все его свойства. Совершенствование технологий, в том числе и методик, техник и способов проведения исследований открывают новые возможности перед учеными, желающими понять что и как работает вокруг нас. Сегодня мы с вами познакомимся с тем, как исследователи узнали, что графен вполне может обладать свойствами сверхпроводника. Сверхпроводимость изучается еще с начала прошлого века, и доселе ученым не известны все аспекты этого физического явления. Как именно исследовательской группе удалось «перенастроить» графен, какие результаты показали эксперименты и что ждать в будущем от исследования? Доклад ученых поможет нам найти ответы на эти вопросы. Поехали.

Основа исследования

Для начала, буквально в двух словах, напомним сами себе что есть графен и с чем его едят, так сказать.

Графен, в первую очередь, это двумерная структура, состоящая из единственного слоя атомов углерода. Другими словами это монослой графита (основного источника графена).

Графен обладает достаточно уникальными электрохимическими свойствами, что делает его идеальным кандидатом на главную роль в различных исследованиях и как возможная основа будущих технологий.

В лабораторных условиях графен получают весьма сложным, трудоемким и, требующим невероятной точности, способом. Зато таким образом можно получить самый, так сказать, качественный продукт. Основой этого способа является механическое воздействие на высокоориентированный пиролитический графит.

В данном же исследовании используется не монослойный графен (MLG), а двухслойный (BLG). Так как этот материал обладает интересным физическим свойством — запрещенной зоной*, возникающей, когда между двумя слоями графена формируется асимметрия.

Запрещенная зона двухслойного графена образуется за счет сингулярности Ван Хова.

Основная проблема сверхпроводников заключается в том, что они являются таковыми при достаточно низких температурах. Ученые же пытаются поднять граничную температуру до комнатной. Исследователи приводят в пример C₆CaC₆, способный сохранять сверхпроводимость при температуре 4 K (-269.15 °C), а это, как вы понимаете, от комнатной температуры далековато.

Возможный ответ на вопрос температуры кроется в сочетании двумерного графена с другими подобными материалами. Исследователи обращают наше внимание на теорию БКШ, которая описывает возможность связи между электронами с противоположными спинами и импульсами. При обмене фотонами, находясь у поверхности Ферми, электроны начинают притягиваться друг к другу. Таким образом могут образоваться электронные пары, которые по теории не будут взаимодействовать с одиночными электронами или решеткой, то есть пары будут двигаться без потери энергии. Таким образом, граничную температуру сверхпроводника можно повысить за счет увеличения константы взаимодействия (U) или же плотности состояний на уровне Ферми n(EF). У графена и графита же плотность электронных состояний на уровне Ферми достаточно низка. При этом имеется прямая зависимость от уровня энергии. И тут уже можно применить теорию о плоских зонах. Изменить значение константы взаимодействия пока еще очень сложно, заявляют исследователи, но вот n(EF) увеличить можно именно посредством плоских зон.

Детальнее о плоских зонах рассказано в этой работе.

В исследовании, которое мы с вами сегодня изучаем, ученые решили испытать новый способ «сплющить» электронные зоны графена и увеличить плотность электронных состояний систем, у которых эта самая плотность очень низка.

Материальной основой исследования стал двухслойный графен на карбиде кремния (SiC), который, к слову, является соединением кремния и углерода. Методом сбора данных стала фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением (ARPES).

Схема установки ARPES.

А теперь давайте узнаем, что же у исследователей получилось?

Результаты исследования

Изображение №1

На изображениях выше показаны данные, собранные с помощью ARPES, а именно — данные образца 6H-SiC с покрытием из 1.2 монослойного графена (MLG).

6H-SiC — один из политипов карбида кремния (структура с различным порядком укладки слоев, то есть составные элементы те же, но у разных типов расположены иначе).

Ожидалось, что использование монослоя приведет к доминированию дисперсии (конусы Дирака) над слабо интенсивной двухслойной дисперсией. Однако, при уровне энергии взаимодействия в 255 мэВ (миллиэлектронвольт) наблюдается достаточно выраженная плоская зона. На изображении 1а, 1b и 1с положение этой зоны отмечено белой стрелкой.

Наличием 1.2 монослоя графена обусловлен факт того, что интенсивность фотоэмиссии BLG примерно в 4 раза меньше, чем у зон MLG. А интенсивность плоской зоны BLG, наоборот, в 3 раза выше, чем у зон MLG. Ученые заявляют, что подобные наблюдения можно встретить в исследованиях предшественников, но ранее настолько детально их не рассматривали.

Использование ARPES дало возможность также заметить и незначительную плоскую зону (синяя стрелка на 1b), возникающую при энергии взаимодействия 150 мэВ и изломом дисперсии в диапазоне энергии 150…160 мэВ.

Далее исследователи решили проанализировать распределение интенсивности фотоэмиссии. Для этого была изучена трехмерная «карта» вокруг точки К образца. Анализ показал, что видны лишь половина монослоя (конусы Дирака) и лишь половина дисперсии двухслойного графена, что связано с пагубной интерференцией от двух графеновых подрешеток. Также видно, что плоская зона распределена равномерно по обе стороны от точки К, что крайне необычно, учитывая интерференцию фотоэмиссии графена.

На изображении 1d показаны два состояния поверхности Ферми, взятые из 1а при энергии взаимодействия 235 и 255 мэВ. Разница в 20 мэВ очень мала для ARPES, но ее хватило, чтобы увидеть значительные изменения в поверхности Ферми. При 235 мэВ мы видим подобие «полумесяца» из-за модуляции интенсивности за счет воздействия интерференции фотоэмиссии. А вот при 255 мэВ мы уже видим «диск» без модуляции.

График 1е (1fдля области вокруг точки К)показывает насколько сильна интерференция фотоэмиссии плоской зоны. А на графике 1g показаны уже результаты замеров дисперсии.

Теория функционала плотности

Для дальнейшего анализа были проведены расчеты по теории функционала плотности над монослойным, двухслойным и трехслойным графеном.

Изображение №2

На изображении 2а показано сравнение расчетов дисперсии у монослойного графена (синий цвет) и двухслойного (красный). Расчетные данные и экспериментальные касательно общей картины отличий монослойной и двухслойной структуры, а также наличие высокого уровня плотности состояний (2b) совпадают практически идеально.

Важным наблюдением также является область возникновения плоской зоны. Как видно из изображения 2а, плоская зона возникает не только в самом верхнем слое графена в исследуемой двухслойной структуре, но и в подрешетке также. Подобный эффект наблюдался также и при исследовании структуры графен + Ni(111).

Вернемся к графику 2b еще раз. На нем мы видим две сингулярности плотности состояний на краях слоя, между которыми явно виден разрыв. Таким образом, пики плотности состояний соответствуют сингулярностям Ван Хова.

Отдельного внимания ученых заслужила и подложка из SiC, точнее вопрос того, насколько сильно ее влияние на состояние двухслойного или монослойного графена. На изображениях 2е и 2f представлены результаты проверки. Желтым цветом отмечены изоповерхности, где имеется процесс получения заряда, а светло-синие — потери заряда. Тут мы видим, что подрешетки верхнего слоя графена (А и В) и подрешетка нижнего слоя графена (А) практически никак не реагируют, демонстрируя лишь незначительную асимметрию зарядов ввиду взаимодействия с подложкой из SiC. В то время как подрешетка С, являющаяся частью нижнего слоя графена, сильно затрагивается взаимодействием между графеном и SiC. Дабы лучше понять о каких таких подрешетках идет речь, обратите внимание на изображение 2d, на котором графически показаны все слои испытуемого образца. На вставке внизу справа мы видим как расположены подрешетки А, В и С.

Ученые также провели анализ формирования плоских зон в системах с другой упорядоченностью (например, ферромагнетики). Как оказалось, в таких системах плоские зоны также проявляют нестабильность, а сверхпроводимость будет преобладать над ферромагнетизмом в том случае, если плоская зона будет достаточно близка к уровню Ферми. Подобные наблюдения можно проецировать и на нынешнее исследование, как говорят ученые.

Выводы исследователей

В первую очередь ученые отмечают, что хоть двумерное расширение в структуре относительно точки К и отвечает за высокий уровень интенсивности фотоэмиссии, оно не является основной причиной возникновения плоской зоны. Если бы это расширение имело значительный вес в данном процессе, то во время экспериментов были бы видны эффекты сужения и усиления интенсивности и в других зонах двухслойного графена вокруг точки К, но этого не наблюдалось.

Наблюдается исчезновение интерференции в области плоской зоны (изображение 1с), за счет чего формируется дискообразная поверхность Ферми при значении энергии взаимодействия в 255 мэВ. Это уникальный феномен, тем более для графена. Интерференция возникает из-за локализованности волновой функции на разных графеновых подрешетках. Но в случае плоской зоны эта волновая функция локализуется на одной лишь подрешетке, за счет чего и пропадает интерференция.

Также было замечено возникновение второй плоской зоны при энергии взаимодействия в 150 мэВ. Однако пока ученые не могут однозначно пояснить природу ее возникновения. С одной стороны это может быть связано с совпадением интенсивности в разных областях графеновых слоев. С другой стороны это может быть результатом ренормализации из-за эффектов многих тел, что часто встречается именно у монослойного графена.

Исследование показало, что незначительные изменения уровня энергии взаимодействия могут значительно повлиять на состояние поверхности Ферми (при 235 мэВ — форма полумесяца и при 255 мэВ — форма диска). В таком случае значительно увеличивается число возможных каналов рассеяния.

Важно также отметить, что для детального изучения сверхпроводимости необходимо максимально приблизить плоские зоны к уровню Ферми. Так, одним из методов может быть внедрение большого числа носителей заряда в слой графена путем интеркаляции Ca и осаждения K. Это приводит к формированию одномерной сингулярности Ван Хова.

Детальнее с исследованием вы можете ознакомиться с помощью доклада исследователей и дополнительных материалов к нему.

Эпилог

Ученым удалось доказать, что манипуляции с подрешетками и промежуточными слоями структуры многослойного графена дают возможность контролировать форму и характеристики плоской зоны. По словам исследователей, использование этого умения в сопряжении с методом усиленных электрон-фононных связей поможет в будущем получить сверхпроводники, свойства которых будут сохраняться при значительно более высоких температурах, чем сейчас.

Сверхпроводники имеют огромное значение. Уже сейчас они используются во многих технологиях, начиная от сверхпроводящих квантовых интерферометров, заканчивая сканерами МРТ. Дальнейшее изучения сверхпроводников, их свойств, методов их получения и совершенствования их качеств позволит не только усовершенствовать современный мир, но и сделать его немного футуристичнее.

Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас оформив заказ или порекомендовав знакомым, 30% скидка для пользователей Хабра на уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps от $20 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps до декабря бесплатно при оплате на срок от полугода, заказать можно тут.